以前都做些MOS的驱动设计，现在要改驱动IGBT，这个在设计上有什么区别，有哪些要注意的地方啊？请大侠指点指点哦！
IGBT的速度肯定没有MOS快，拖尾电流大。
如果没有相关的IGBT驱动经验，建议采用IGBT专用的驱动模块去做驱动，因为IGBT关段需要负电压。
有时间的话可以自己设计调试。
IGBT要参考供应商给出的功率与频率范围建议来设计。
IGBT的电路拓扑结构，尽量选择软开关的电路来做，软开关的话IGBT损耗小，频率可以做高，磁性器件就可以做小。
再有就是IGBT的损耗计算，算出损耗才好去做热设计。
没法一个回帖说完，暂且几点吧。
过路
