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单相全桥逆变mosfet

对于如下所示的单相全桥逆变电路,S1,S4为一组,S2,S3为一组,两组交替通断,ton表示在一个 PWM 周期内 S1,S4闭合的时间,定义在第 t 个 PWM 周期内占空比为dt=ton/Ts,(s1,s4闭合,s2,s3断开;s2,s3闭合,s1,s4断开

开关频率fs=10kHz,输出电压Uo=220V 50HZ,产生占空比d(k)=0.5+0.4sin(2*pi*50),k=1,2...200 (注:将20ms分为200份),控制4个管子导通关断,结果如下所示:

 

驱动信号(蓝色),mosfet D与S极之间的电压(黄色)分别如下所示:

(1)为什么D与S之间电压会在管子关断时产生那么高的电压

(2)输出电压波形畸变为什么这么严重,与滤波电感Lf和滤波电容Cf有关吗,这两个参数该如何选择

(3)滤波电容是用电解电容吗?

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2015-08-05 10:06
已经被添加到社区经典图库喽
http://www.dianyuan.com/bbs/classic/
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