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1200W反激开关电源的疑惑

    在我的认知范围,一直坚信反激开关电源最大功率不会超过500W。但是在我维修焊机电源的过程中,我确实看到可以工作并批量生产的一款反激开关电源。我用功率电阻实际测量确实可以达到1200W。我把电路板抄了原理图也画了手上的资料也查了,我还是没有搞明白工作原理。因为初级只有一只大功率MOS管,我判断要么是反激要么是正激,但是次级没有续流二极管也没有电感,并且初级还有一个能量反馈绕组,所以我只能认为这是反激电源。我不明白反激电源怎么能够做到1200W。我把原理图贴出来,求高手能给予指点。要是有人有能力搞明白,本人愿意付费。

    

    上图是主回路原理图,控制部分没有给出,请谅解。变压器用四个EI50并在一起,用特制骨架。联系电话18917993456

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2015-07-16 09:22
悬赏1000元 求解答。
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2015-07-16 10:04
已经被添加到社区经典图库喽
http://www.dianyuan.com/bbs/classic/
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417zhouge
LV.9
4
2015-07-16 19:56
@独自莫凭栏
悬赏1000元求解答。

挂功率器件的波形去看,对应波形再分析,然后按照感量去做个仿真试试。

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2015-07-16 21:44
@417zhouge
挂功率器件的波形去看,对应波形再分析,然后按照感量去做个仿真试试。
  测了波形确实是反激电源波形,初级电感量100UH左右,工作频率46KHZ。次级电容为4个82MF并联。初级主绕组11匝,能量反馈绕组也是11匝,串在驱动变压器一起的是1匝,次级3匝。我做开关电源也有七八年了,各种拓扑的波形也见过。我查遍了资料,也没有见到这种拓扑的影子。图中有些元件型号不正确,但是电路原理肯定正确。还请高人指点。
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417zhouge
LV.9
6
2015-07-17 08:57
@独自莫凭栏
 测了波形确实是反激电源波形,初级电感量100UH左右,工作频率46KHZ。次级电容为4个82MF并联。初级主绕组11匝,能量反馈绕组也是11匝,串在驱动变压器一起的是1匝,次级3匝。我做开关电源也有七八年了,各种拓扑的波形也见过。我查遍了资料,也没有见到这种拓扑的影子。图中有些元件型号不正确,但是电路原理肯定正确。还请高人指点。

个人认为反激功率可以做到N大,类似于BOOST电路一样。

1200W也就是比小功率的电路初级电流和次级电流大些,温升高,效率没有测试过,不清楚。反激功率做大好像就是漏感的问题弄的比较严重。

 如果辅助绕组起作用的话,理论上是与初级耦合,同时漏感也耦合到辅助绕组上,能量通过二极管到输入大电容吸收,那样MOSFET的压力会小点。

暂时这么认为。

我做了仿真,电路能正常工作,初级电感连续,电流纹波很小。漏感还没有加进去试。

兄弟有何想法也提出来讨论下。

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2015-07-17 09:59
@417zhouge
个人认为反激功率可以做到N大,类似于BOOST电路一样。1200W也就是比小功率的电路初级电流和次级电流大些,温升高,效率没有测试过,不清楚。反激功率做大好像就是漏感的问题弄的比较严重。 如果辅助绕组起作用的话,理论上是与初级耦合,同时漏感也耦合到辅助绕组上,能量通过二极管到输入大电容吸收,那样MOSFET的压力会小点。暂时这么认为。我做了仿真,电路能正常工作,初级电感连续,电流纹波很小。漏感还没有加进去试。兄弟有何想法也提出来讨论下。
**此帖已被管理员删除**
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2015-07-17 10:00
@独自莫凭栏
**此帖已被管理员删除**

请尽快联系我。或者你给我你的联系方式。

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usrmnm
LV.2
9
2015-07-17 17:29
是软开关的  只是和我们常用芯片的触发方式不同    与电磁炉的并联谐振类似    当次级副绕组极性变换时MOS管导通    C12决定最脉宽    Q6是稳压环路电路的输出吧
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usrmnm
LV.2
10
2015-07-17 17:31
@usrmnm
[图片]是软开关的 只是和我们常用芯片的触发方式不同  与电磁炉的并联谐振类似  当次级副绕组极性变换时MOS管导通  C12决定最脉宽  Q6是稳压环路电路的输出吧
工作频率也是在一定范围内随负载变的   先参考一下电磁炉的并联谐振电路  再看这个  可能就好理解了
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usrmnm
LV.2
11
2015-07-17 17:34
@usrmnm
工作频率也是在一定范围内随负载变的 先参考一下电磁炉的并联谐振电路 再看这个 可能就好理解了
D9的1N4148是对C12反向放电的   C12才那能在下同期充电驱动MOS
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usrmnm
LV.2
12
2015-07-17 17:38
@usrmnm
D9的1N4148是对C12反向放电的 C12才那能在下同期充电驱动MOS

应该属于多谐振荡类型的电源   老的CRT电视机的场偏转线圈就是类似方式驱动的

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usrmnm
LV.2
13
2015-07-17 17:41
@usrmnm
应该属于多谐振荡类型的电源 老的CRT电视机的场偏转线圈就是类似方式驱动的
至于那个像回授绕组可以再MOS导通瞬间抑制 MOS环路中的电流 等待MOS管导通完成
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2015-07-18 08:09
@usrmnm
至于那个像回授绕组可以再MOS导通瞬间抑制 MOS环路中的电流 等待MOS管导通完成

非常感谢。控制芯片是NE555。固定频率46KHZ。我没有搞明白驱动变压器为什么和主变压器串联在一起,我以为应该是在MOS管关断的情况下产生负压。请分析一下驱动变压器二次侧的工作原理。请问在哪里可以做到类似的资料。

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2015-07-18 08:15
@417zhouge
个人认为反激功率可以做到N大,类似于BOOST电路一样。1200W也就是比小功率的电路初级电流和次级电流大些,温升高,效率没有测试过,不清楚。反激功率做大好像就是漏感的问题弄的比较严重。 如果辅助绕组起作用的话,理论上是与初级耦合,同时漏感也耦合到辅助绕组上,能量通过二极管到输入大电容吸收,那样MOSFET的压力会小点。暂时这么认为。我做了仿真,电路能正常工作,初级电感连续,电流纹波很小。漏感还没有加进去试。兄弟有何想法也提出来讨论下。

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2015-07-18 08:24
@usrmnm
至于那个像回授绕组可以再MOS导通瞬间抑制 MOS环路中的电流 等待MOS管导通完成
为了让各位朋友更好理解,我把修正过的原理图再发一张。

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2015-07-18 08:46
@usrmnm
至于那个像回授绕组可以再MOS导通瞬间抑制 MOS环路中的电流 等待MOS管导通完成
改动。

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dengyuan
LV.8
18
2015-07-20 09:28
@独自莫凭栏
为了让各位朋友更好理解,我把修正过的原理图再发一张。[图片]

带复位绕组的反激,没有什么特别的。1T的那个绕组估计是加速驱动用的。

用4个变压器并联出1200W,应该可以,就是不知道它每个变压器怎么均流。

功率开关管用APT1004,会不会电流安全系数太低了。

其实用多相控制的反激电路比这个反激电路更好。

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fayehuang99
LV.6
19
2015-07-20 11:35
@独自莫凭栏
改动。
看变压器的同名端就是正激
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2015-07-20 13:14
@dengyuan
带复位绕组的反激,没有什么特别的。1T的那个绕组估计是加速驱动用的。用4个变压器并联出1200W,应该可以,就是不知道它每个变压器怎么均流。功率开关管用APT1004,会不会电流安全系数太低了。其实用多相控制的反激电路比这个反激电路更好。
我没有说清楚,是四个EI50磁芯并在一起做成一个变压器,不是四个变压器并联。APT10043JVR是22A 1000V MOS管,功率没有问题。
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2015-07-20 13:27
@fayehuang99
看变压器的同名端就是正激
抱歉并感谢。二次侧的同名端被我标错了,其它同名端都是正确的。
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2015-07-20 13:35
@fayehuang99
看变压器的同名端就是正激
明白了

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2015-07-20 13:46
@dengyuan
带复位绕组的反激,没有什么特别的。1T的那个绕组估计是加速驱动用的。用4个变压器并联出1200W,应该可以,就是不知道它每个变压器怎么均流。功率开关管用APT1004,会不会电流安全系数太低了。其实用多相控制的反激电路比这个反激电路更好。
对于1T绕组是加速驱动用的,我认可。谢谢你指出。
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qinzutaim
LV.11
24
2015-07-20 14:33
@独自莫凭栏
为了让各位朋友更好理解,我把修正过的原理图再发一张。[图片]
NE555仅作为触发,真正的驱动应该是主变压器的那个1T的绕组,这电路和RCC有几分相似,只是增加了一些保护措施,可按RCC的方法去理解。
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2015-07-20 21:48
@qinzutaim
NE555仅作为触发,真正的驱动应该是主变压器的那个1T的绕组,这电路和RCC有几分相似,只是增加了一些保护措施,可按RCC的方法去理解。

我测过不加高压时MOS驱动波形,占空比约为7%。把高压从0V一直往上加到直流200V,MOS漏极波形都是反激拓扑波形.超过200V开始稳压。所以我认为“这电路和RCC有几分相似”这句话不太准确。还请指正。

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dengyuan
LV.8
26
2015-07-21 08:09
@独自莫凭栏
我测过不加高压时MOS驱动波形,占空比约为7%。把高压从0V一直往上加到直流200V,MOS漏极波形都是反激拓扑波形.超过200V开始稳压。所以我认为“这电路和RCC有几分相似”这句话不太准确。还请指正。

是4对磁芯,还是4块2对磁芯。

反激没有什么研究的啊。

只要能够峰值电流过得去,MOS的DS的电压安全,做多大功率么有什么关系。

如果EMI要求严格的话,反激就不是最合适的架构了。

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2015-07-21 08:19
@dengyuan
是4对磁芯,还是4块2对磁芯。反激没有什么研究的啊。只要能够峰值电流过得去,MOS的DS的电压安全,做多大功率么有什么关系。如果EMI要求严格的话,反激就不是最合适的架构了。
1.是4对EI磁芯(4个E+4个I)。2.反激变压器要想功率做大,电感必须很小,如果没有辅助回馈绕组,功率不可能超过500W。
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usrmnm
LV.2
28
2015-07-21 09:45
@独自莫凭栏
非常感谢。控制芯片是NE555。固定频率46KHZ。我没有搞明白驱动变压器为什么和主变压器串联在一起,我以为应该是在MOS管关断的情况下产生负压。请分析一下驱动变压器二次侧的工作原理。请问在哪里可以做到类似的资料。
还是重点查并联谐振   一定是软开的  不然那效率就一值一提了     多参考电磁炉的电路  其实就是其变形电路  此类电路优点输出功率巨大  就是原边MOS管电压奇高   又是电焊机用对供电质量要求不严    和电磁炉一样   其实电磁炉提锅后 就类似于输出短路 和电焊机的负载特性基本吻合
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usrmnm
LV.2
29
2015-07-21 09:49
@usrmnm
还是重点查并联谐振 一定是软开的 不然那效率就一值一提了  多参考电磁炉的电路 其实就是其变形电路 此类电路优点输出功率巨大 就是原边MOS管电压奇高 又是电焊机用对供电质量要求不严  和电磁炉一样 其实电磁炉提锅后就类似于输出短路和电焊机的负载特性基本吻合
尤其是变压器上并联的那个630V225  没有反激这样用了     明显是并联谐振的结构
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2015-07-21 14:49
@独自莫凭栏
明白了
管理员老大能不能不删我的帖子。我现在需要解决问题,你要是能找到人帮我搞好,我给你感谢费。求你不要删。
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2015-07-21 14:57
@usrmnm
尤其是变压器上并联的那个630V225 没有反激这样用了  明显是并联谐振的结构
你要是能帮我搞好。感谢费一定有的。只是管理员老是删我。我也不知道为什么。我付钱求助,怎么也不允许。
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