半桥波形 请大师们帮忙分析一下，谢谢！

看起来漏感尖峰有点大。

我看。这种波形，一是漏电感偏大，二是存在米勒电容效应，就是一管导通另一管管脉动性地导通了一下，这个也与漏电感有关，驱动也比较快了，就是电压变化率大，即DU/DT.DI/DT，所以是比较危险的，能量小了，如果大了就要爆管了。

    我是新一代技术的作者，现在，搞一代硬开关技术非常不划算了，就是成本高效率低，设备大，我国目前普遍用了LLC多谐振技术，但还是老的一代技术了。新的一代技术就是准谐振软开关技术，再高级的技术就是全谐振技术，即硬开关是一二代技术，三代是半软，四代是准软，五代技术就是全软开关技术了。所以，技术的否则就是步步高，一点技术总比上一代技术要高了。

    你还在做第一代技术，这个就是非常不好用，最简单的就是其实就是四代准谐振型软开关技术，效率高低成本，高可靠性，小型化，而且就是高懂了，是最实用的技术。开始非常难，就是非常学问的技术，因为国人不在乎学问，所以，就是老问老早就有了，如这个是美国1995年的方面专利，到现近20年了，我国还没有，所以，中国的开关电源技术非常落后，为什么，就是越抄就是越落后，在于学生抄答案，在于就没有学问了，所以，不懂技术原理也就做不成了，就是成了空白了。所以，学问非常重要。

但问题还是有，小了可能是因为匝比变了。感觉还是如上大师说的漏感引起。

变压器漏感多大呢？EE的变压器漏感还应该会小一点啊

我看变压器的漏电感还是偏大了一点了，如何再减小漏电感的呢，就是，你把初级在中间，这样尽管比两层小了一些，但还是偏大了，告诉你一招，就是不是通常说的三明制，而是五明制，分五层，1,3,5初级，2,4次级，既然7匝，就是一排过去正好7匝，二层与四层双线并绕7匝，3,5两层同一层一样，都是7匝，最后，就是初级一概并联，这样的漏电感就非常 小了，效果非常好，效率提高，谐波减小，RC吸收器可以减小，甚至可以不要，峰值电压一定减小了，我九十年代末在北京时就采用了这个模式，效果非常好，而且，听说，清华大学的那一帮人也是采用这个非常低的漏电感做，他们水平高，懂得用此办法，获得效果是非常好的。

    总之，蜜绕的漏电感小，越多层漏电感越小，就是要非常小的话，就是一层初一层次，一层正好头尾了，分好多层，最后，初级次级一概分别并联，这样做的漏电感非常小了，但一定要注意，就是匝数一定要对，容易搞错，差一匝就不行了，这个需要非常注意。这个办法就是绕的变压器的漏电感非常小了，漏电感小有有功夫好处就是效率高谐波小，漏电感大这个形成了电感能量，是产生谐波，环流的原因，谐波是要产生损耗的，所以效率是做不高的。

    你的EE型变压器是非常好绕的，按我的做法，可以实现非常小的漏电感，效果是非常好的，不妨一试。

重温这个话题，我做开关电源的过程，就是从硬开关开始的，还是很有经验的，不过，我主要是3525的，494也做过，这个芯片比较稳定，有人用494还做成了llc的，多年我听说清华毕业出来的做电源高了一层初一层次的，若干层，分别并联，这样的漏电感非常小，当然，只要漏电感比较小就可以了，你的同样出现关断尖峰，这个又是怎么造成的呢，我看是关断太快了，就是电流变化率太高了，而且，尖峰不是连续的，所以不是那么均匀，这个与环路有关，由于不是移相型关断的另一种管子马上导通形成钳位，所以就不出现了，这里变化太快了，电感特征就是突变产生尖峰电压，其实，这个尖峰电压是反向开关管导通，就是内部二极管导通了，但这个二极管的速度比较慢，瞬间这个电压高了就是另一只开关管的承受电压也非常高，如果再严重太高的话，另一只管子击穿，导致上下管子也一同坏了，所以爆管了，比如220伏输入电压可以用400伏耐压的，为什么实际不行，要500伏的，有的甚至有了600伏的，其实500伏足够了，太严重就不够了。所以软开关的好，就是没有产生这种现象。还有，开关管上下两点一线并联电容，减小走线电感。

    其实，硬开关驱动速度慢一点的好，尽管放大区时间长了一些产生损耗，但可靠性反而更好。还有，加大RC吸收器可以抑制尖峰电压。

    为什么很多炸管，为什么耐压选择高一点的，其实，不用的，没有尖峰电压400伏就够了，就是尖峰电压，其二，电压变化率太高还容易产生米勒电容效应，发生共态导通，也要坏了。如果外并联快恢复二极管可以减小这个峰值电压，我试过，但作用不是太大。

    其实，过去一些年几乎都是完全硬开关的，假如软开关，选择管子耐压可以滴一些，因为没有峰值，硬开关的耐压必须高一些，就是这么一回事。