SVF10N65F 原装SILAN士兰微 TO-220F 10A/650V N沟道 场效应管
N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面
高压VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产
品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PMW马达驱动，LED驱动电源//特点
2A，600V，RDS(on)(典型值)=3.7Ω@VGS=10V
低栅极电荷量
低反向传输电容
开关速度快
提升了dv/dt 能力
N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子
的F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进的工
艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、
优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。广泛应用于AC-DC开关电源，
DC-DC电源转换器，高压H桥PMW马达驱动，LED驱动电源//特点
2A，600V，RDS(on)(典型值)=3.7Ω@VGS=10V
低栅极电荷量
低反向传输电容
开关速度快
提升了dv/dt 能力
产品技术参数:
典型关断延迟时间 : 44 ns
典型接通延迟时间 : 14.5 ns
典型栅极电荷@Vgs : 42 nC @ 10 V
典型输入电容值@Vds : 1180 pF @ 50 V
安装类型 : 通孔
宽度 : 4.6mm
封装类型 : TO-220FP
尺寸 : 10.4 x 4.6 x 16.4mm
引脚数目 : 3
最低工作温度 : -55 °C
最大功率耗散 : 35 W
最大栅源电压 : ±30 V
最大漏源电压 : 650 V
最大漏源电阻值 : 1 Ω
最大连续漏极电流 : 10 A
最高工作温度 : +150 °C
每片芯片元件数目 : 1
类别 : 功率 MOSFET
通道模式 : 增强
通道类型 : N
长度 : 10.4mm
高度 : 16.4mm
高兴微电子商行
高兴微电子商行致力于全面推广IR,ST,ONSEMI,NSC,INFINEON,FUJI，IWATT等国际品牌功率器件，产品广泛用于数字电视，汽车电子，电脑及周边产品，通讯设备等各个行业。经营IGBT模块，IGBT单管，SPM模块，场效应管，快恢复二极管，肖特基二极管，整流二极管模块，智能电源开关，电源开关控制IC等全线无铅产品
主营行业： 电源IC，MOSFET_IGBT，二极管_三极管，
主营产品： FAIRCHILD,IR,ST,VISHAY,ONSEMI/安森美,FUJI,士兰微,TI,INFINEON,IWATT/艾瓦特
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IW3623-00 SOP-14 IWATT(爱瓦特）
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SD4843P67K65(代替VIPER22A)
SD4842P67K65(代替VIOER22A)
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SD6854
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SVF2N60F TO-220F SVF2N60D TO-252
SVF2N60M TO-251短脚 SVF2N60MJ TO-251长脚
SVF4N60D TO-252 SVF4N60F TO-220F
SVF4N65M TO-251短脚 SVF4N65MJ TO-251长脚
SVF4N65F TO-220F SVF7N65F TO-220F
SVF5N60F TO-220F SVF7N60F TO-220F
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高兴微电子商行李绪欢 0755-83259341高科德12249
买家下单前必读
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