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求助MOSFET驱动变压器的波形

做了一移相全桥电路，MOSFET驱动只能用变压器驱动了，但测了GS端的波型，实在是有点难看。 不知道是什么差错，请教各位。
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hong_t
LV.6
2
2015-04-28 17:01
 

这是用EE19绕的变压器 25：25：25   （5K磁芯）

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hong_t
LV.6
3
2015-04-28 17:04
改用高导磁环重绕了变压器， Lp约2.5mH

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电源网-fqd
4
2015-04-29 09:59
已经被添加到社区经典图库喽
http://www.dianyuan.com/bbs/classic/
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hong_t
LV.6
5
2015-04-29 12:42
@电源网-fqd
已经被添加到社区经典图库喽http://www.dianyuan.com/bbs/classic/

改用EE16，10K磁芯，绕到2.4mH, 出来的图形又有所变化

 

 

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hong_t
LV.6
6
2015-04-29 12:43
@hong_t
改用EE16，10K磁芯，绕到2.4mH,出来的图形又有所变化 [图片] 
为什么用EE19、EF16绕的变压器都是有一个台阶， 而用磁环的变压器没有那个台阶？
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皇甫仁和
LV.5
7
2015-04-30 21:30
@hong_t
为什么用EE19、EF16绕的变压器都是有一个台阶，而用磁环的变压器没有那个台阶？
楼主把图贴出出来看一下，我去年也做过，也是移相全桥，MOSFET用的变压器驱动，没有出现问题。可能是你的匝数少了
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hong_t
LV.6
8
2015-04-30 22:47
@皇甫仁和
楼主把图贴出出来看一下，我去年也做过，也是移相全桥，MOSFET用的变压器驱动，没有出现问题。可能是你的匝数少了

看过一个资料，100KHz时2mH较合适，所以匝数是绕满一层并大约是电感量符合设计的

但不同磁芯，感量相近时结果却不一样，磁环甚至连驱动耗电也少了

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皇甫仁和
LV.5
9
2015-04-30 23:45
@hong_t
看过一个资料，100KHz时2mH较合适，所以匝数是绕满一层并大约是电感量符合设计的但不同磁芯，感量相近时结果却不一样，磁环甚至连驱动耗电也少了
我当时用的EI25的磁芯，用了8个，因为用了2组移相全桥。匝数是30：:30的
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hong_t
LV.6
10
2015-05-01 12:23
@皇甫仁和
我当时用的EI25的磁芯，用了8个，因为用了2组移相全桥。匝数是30：:30的

EF16, 19:19:19, 用高导磁芯，AL>4000, 所以电感已到2.0~2.4mH

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皇甫仁和
LV.5
11
2015-05-01 12:44
@hong_t
EF16,19:19:19,用高导磁芯，AL>4000,所以电感已到2.0~2.4mH
你可以将你的驱动原理图提出来么？
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hong_t
LV.6
12
2015-05-01 19:43
@皇甫仁和
你可以将你的驱动原理图提出来么？

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hong_t
LV.6
13
2015-05-01 19:44
@皇甫仁和
你可以将你的驱动原理图提出来么？

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hong_t
LV.6
14
2015-05-01 19:45
@皇甫仁和
你可以将你的驱动原理图提出来么？
很普通的那种，波形应该与变压器较有关
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皇甫仁和
LV.5
15
2015-05-01 20:39
@hong_t
很普通的那种，波形应该与变压器较有关
按照你图中的接法，管子的驱动出现小平坦应该是正常的，那应该是死区导致的吧
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hong_t
LV.6
16
2015-05-01 21:48
@皇甫仁和
按照你图中的接法，管子的驱动出现小平坦应该是正常的，那应该是死区导致的吧

死区是有设置，而且也看到有人说台阶是死区时间，我也几乎相信是这样的，可为什么第2图中，采用磁环做的变压器是就没有台阶？

磁环变压器因为3个绕组呈120度公布，绕组间电容极小，仅在10pF左右，而EE或EF骨架上绕组是层叠的，虽然漏感相近，但绕组间电容却要达到50pF左右

虽然有一个国外有文章认为在100pF内是可以接受的，但50pF与10pF差距不小

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皇甫仁和
LV.5
17
2015-05-01 22:28
@hong_t
死区是有设置，而且也看到有人说台阶是死区时间，我也几乎相信是这样的，可为什么第2图中，采用磁环做的变压器是就没有台阶？磁环变压器因为3个绕组呈120度公布，绕组间电容极小，仅在10pF左右，而EE或EF骨架上绕组是层叠的，虽然漏感相近，但绕组间电容却要达到50pF左右虽然有一个国外有文章认为在100pF内是可以接受的，但50pF与10pF差距不小
你是一个研究生？按照你图中的接法应该会出现那小平坦
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hong_t
LV.6
18
2015-05-01 23:19
@皇甫仁和
你是一个研究生？按照你图中的接法应该会出现那小平坦

早已不是在校学生了，只是第一次用变压器驱动MOS,  以前都是用2110或光耦之类的，一直不太喜欢变压驱动的波形。 事实上在一个电源上也发现变压器驱动与2110驱动可能是变压器做得不好，电源效率差了近2%！ 以后就极少用变压器驱动MOS了

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皇甫仁和
LV.5
19
2015-05-02 07:31
@hong_t
早已不是在校学生了，只是第一次用变压器驱动MOS, 以前都是用2110或光耦之类的，一直不太喜欢变压驱动的波形。事实上在一个电源上也发现变压器驱动与2110驱动可能是变压器做得不好，电源效率差了近2%！以后就极少用变压器驱动MOS了
你看一下http://www.dianyuan.com/bbs/1509303.html这帖子里面讲了MOSFET的驱动电路设计，里面也有讲到变压器的驱动的，我感觉变压器驱动做实验还行，做产品不太靠谱
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hong_t
LV.6
20
2015-05-05 10:51
@皇甫仁和
你看一下http://www.dianyuan.com/bbs/1509303.html这帖子里面讲了MOSFET的驱动电路设计，里面也有讲到变压器的驱动的，我感觉变压器驱动做实验还行，做产品不太靠谱

在隔直电容前加了一个5.1R的电阻，振荡没了。

明白台阶了，以前有点被误导，不是什么死区时间，而是一小段空白占空比是受控制成这样的

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andy6
LV.6
21
2015-11-11 08:40
@hong_t
在隔直电容前加了一个5.1R的电阻，振荡没了。明白台阶了，以前有点被误导，不是什么死区时间，而是一小段空白占空比是受控制成这样的
可能还是变压器设计不合理，需优化一下变压器的漏感和电感量
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开开鼠
LV.3
22
2015-11-11 15:59
@andy6
可能还是变压器设计不合理，需优化一下变压器的漏感和电感量
绝对是变压器的缘故，我们用变压器驱动，波形就很漂亮啊。把漏感绕小了哦
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大圣style
LV.1
23
2016-07-13 16:31
@开开鼠
绝对是变压器的缘故，我们用变压器驱动，波形就很漂亮啊。把漏感绕小了哦
我做的驱动变压器波形是这样的，一带载就有问题。

图中2通道是下管GS驱动电压，3通道是全桥超前臂上管源极电压。

不知是不是驱动变压器的问题。

下图过零处有震荡，见下图，这种问题原因是？

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大圣style
LV.1
24
2016-07-16 15:05
@大圣style
我做的驱动变压器波形是这样的，一带载就有问题。[图片]图中2通道是下管GS驱动电压，3通道是全桥超前臂上管源极电压。不知是不是驱动变压器的问题。下图过零处有震荡，见下图，这种问题原因是？[图片]
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