漫谈MOS各个参数

沙发！~

MOS选择的前一个环节是根据项目的输入参数确定拓扑模式，比如隔离还是非隔离，正激还是反激或者LLC等。 

根据选择的拓扑模式再选择合适的MOS，那么选择MOS的第一个确定的就是耐压(VDS),比如正激拓扑要选择至少高于两倍的最高输入电压，反激则是根据最高输入电压及反射电压来确定。 

可见MOS的VDS是至关重要的一个参数点，选择要合适不能太低也不能太高。太低容易造成击穿，太高其它参数会变差，影响产品整体性能，比如效率。

 MOS耐压一般常用的有20V、30V、40V、60V、75V、80V、100V、150V、200V、250V、300V、400V、500V、600V、650V、800V、900V等再往上也有高压的一般很少用，中间也有一些，比如70V、80V、85V等这里不一一介绍了。

 VDS的温度特性 随着结温的升高，VDS呈线性升高。温度升高100℃，VDS大概是25℃时的1.1倍。当然随着温度的降低，VDS也会下降。VDS温度曲线如下图

 所以选择MOS的时候要留有一定的余量，一般余量为10%～20%。再当作开关用的稳压电路中可以适当降低余量。

学习了，那么我们怎么知道他是正激括扑还是反激呢，怎么去看

这个根据输入条件来确定合适的拓扑，就是当开关用也应该知道最高电压，通过最高电压来选择合适的MOS

MOS耐压确定了，就要根据功率来确定MOS的电流ID。

下边来谈谈MOS的电流ID ID表示在沟道损耗容限内，漏级连续流过的最大电流值。

一般在Datasheet中会给定两个温度点的ID值，分别为25℃和100℃。

以锐骏半导体的RU190N08Q为例，在Tc=25℃时为190A，在Tc=100℃时为140A。

这个都是以温度为恒定值时的最大漏极电流值，属于一种理想情况，在实际应用中这个温度条件是很难达到的。

下边是电流随温度的变化曲线

第二个电流值是IDP（脉冲峰值），功率MOS都有很强的峰值通过能力，还以RU190N08Q为例，在Tc=25℃时，IDP为700A。MOS的连接管脚及内部接线影响此值的大小。

其施加的脉冲宽度与散热有关系，RU190N08Q为300uS脉冲漏极电流测试。

结温Tj，一般MOS的结温为150℃或175℃，当高于这个温度时，MOS会发生损坏。