反激电路辅助绕组的低端要接到哪里啊？芯片GND还是Bus电容GND？surge有不同吗？

反激电路辅助绕组的低端要接到哪里啊？

通常的做法是辅助绕组的GND连接到芯片GND，然后再连接到Bus电容GND；现在碰到一种做法，是辅助绕组的GND单独连接到Bus电容的GND，与芯片GND在Bus电容gnd那里汇合。这种做法据说是对打surge有好处。

请问这2种连接方法，对打surge有不同吗？

谢谢

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2014-12-05 17:08

第二种接法抗干扰能力更强吧！

LV.6

2014-12-08 10:39

@Constance

第二种接法抗干扰能力更强吧！

我了解到的信息也是第二种方法抗干扰能力会强，可以打的耐压级别更高。

司令能说下原因吗？

还有，通常的话，辅助绕组支路从其正端连到分压电阻（对副边反馈来说，一般是做过零检测和OVP；对原边反馈来说，做电压采样），然后再回到其负端。如果按照第二种方法接的话，那这个回路会很长，面积会很大啊。这个怎么理解啊？

2014-12-08 13:02

@namin

我了解到的信息也是第二种方法抗干扰能力会强，可以打的耐压级别更高。司令能说下原因吗？还有，通常的话，辅助绕组支路从其正端连到分压电阻（对副边反馈来说，一般是做过零检测和OVP；对原边反馈来说，做电压采样），然后再回到其负端。如果按照第二种方法接的话，那这个回路会很长，面积会很大啊。这个怎么理解啊？

单点接地。

LV.6

2015-11-19 09:32

@Constance

第二种接法抗干扰能力更强吧！

不一定，你看看共模怎么转成差模的

2015-11-19 19:21

看看这2个图片的差异。

图1

图2

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