• 回复
  • 收藏
  • 点赞
  • 分享
  • 发新帖

COOLMOS技术和应用及和常规MOS(平面管的对比)

SJ MOSFET超结MOS(COOLMOS)技术和应用
 超结金氧半场效晶体管(Super Junction Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor,SJ MOSFET) 

SJ MOSFET的技术主要有两种,其一为由英飞凌(Infineon)开发的多磊晶技术,藉由掺杂(doping)磊晶在磊晶层上形成岛状的掺杂区域,使该区域扩散形成一个氮掺杂(N-doped)平面。另一种技术则采用深反应离子蚀刻挖出沟槽状结构,再将氮掺杂材料填补于沟槽,制造出超接面的结构,开发此科技的业者主要为东芝(Toshiba),快捷半导体(Fairchild Semiconductor) 及艾斯摩斯科技(IceMOS Technology)。

Avron指出,科技的进展使得多磊晶与深蚀刻技术发展越发竞争,东芝刚推出第4代DTMOS,是一种具备较小间距(pitch)的深沟槽结构MOSFET,可采用更小的晶粒且改善导通电阻(RdsON),虽然制造成本仍高于英飞凌的CoolMOS,但将会越来越具竞争力。

化合物半导体(compound semiconductor)是SJ MOSFET的强劲竞争对手,如碳化硅(SiC)因为能承受较高的电压,有潜力应用于高阶解决方案,预计到2015年前硅都还会是主流,另外IGBT兼具价格与转换效率两者优势,美商国际整流器(International Rectifier)正在研发足以与SJ MOSFET相抗衡的高速IGBTs,到头来SJ MOSFET可能定位于这两者中间,并视电压、应用及转频的需求,而与碳化硅、高速IGBT、IGBT或氮化镓相互竞争。 1、Coolmos的选型 一般我们选择一颗MOS 大致看以下几个参数 BV Id Rds Vth Qg Pd等。但是这几个参数,只有Qg和Id是交流参数,其他都是静态参数。而半导体这东西就是随温升变坏的。那动态参数,其实是变坏的。25度的电流是100A,也许125度的时候,电流只有50A,所以选型的时候要以高温下(老化房)的数据为准。那选好了电压、电流,剩下就是看Coolmos的损耗了。Coolmos露在表面的是Rdson 较低,只有平面管的1/3或者1/4,那MOS的导通损耗必然较之平面管要低不少。MOS的另外一个损耗,开关损耗其实往往更加占主导。开关损耗在MOS里最直接体现的数值是Trr。这也是Coolmos最核心的参数。从coolmos的发展来看 C3 C6 CP CFD CFD2 都是在Trr上下功夫(C6除外,他是C3的Cost down)。你是电源设计者,Trr的合理使用,你比我清楚。Coolmos在实际应用中,MOS前段的Rg驱动,一般对电阻要求会低很多。这也能降低损耗。举个例子,20N60C3 MOS前段的驱动电阻一般可做到15mohm以下,但是也不是越低越好,开关越高,EMI的问题就出来了。所以驱动电阻的选择要综合考虑,在EMI允许的情况下,尽量降低驱动电阻。 

2.Coolmos是否需要采用散热措施。我只能说要看功率,举个例子,150W的LED电源上,你觉得可以不加散热嘛?15W的LED电源上,加散热装置,那有地方么?Coolmos,在应用端,解决了有的电源方案需要电子器件更小的体积,甚至是去掉散热片(如Iphone的充电器),而大功率上看重Coolmos的还是他能降低损耗,所以散热片是一定要加的。

  3.Coolmos目前在国内应用还是非常片面的,任重而道远。举个例子,在一个70W的笔记本适配器上,很多还是用的20A的平面管(或者是16A),但是我们知道实际电路里的有效电流其实很小,用20A只是看重他的低内阻,降低损耗,降低温升。那现在很多工程师来Rreview这个方案的时候,脑子还是转不过弯来。如果使用Coolmos,他认为还需要16A的,那同等电流,价格肯定不可比的。其实呢,Coolmos 10A足够去替代了。开关损耗,Coolmos要较平面管低很多,内阻的话Coolmos的10A较之16A的平面也不会高多少,在高温下,基本内阻

是一致的。(有机会发个实验数据,16A的平面管和10A的Coolmos在100度下,内阻是相差不多的---前提,带负载,体现开关损耗低的特点),所以工程师要多了解Coolmos。

  在中压MOS(100-150V),英飞凌、ST、AO、FC均有超低导通电阻、超低损耗的MOS出现,如Opti3MOS(艾默生、华为都有大量使用,是未来的主导)、SDMOS等。

  总之一句话:MOS在发展,损耗会越来越低。电源方案只会像更高效率和更小体积发展。目前COOLMOS类产品主要以Infineon一家独大,占据市场比例比较多。当然,除了Infineon以外,Toshiba、ST、NCE等厂家也都有COOLMOS产品在推广应用,但市场份额相对占的比较小 

无锡新洁能股份有限公司(NCE Power)是中国现代大功率半导体器件的领航设计与销售企业,专业从事各种大功率半导体器件与功率集成器件设计、生产和销售。 公司是中国第一家研发成功并上量销售大功率-超结-MOSFET(SJ-MOSFET)的设计公司,是江苏省重点支持的半导体大功率器件设计高新技术企业。公司紧密结合自身器件与工艺设计技术领先的优势,与国际一流的芯片代工厂、封装、测试代工厂保持密切配合与合作,严谨产品质量控制,保证产品的持续优质和稳定供货。 

NCE的和Infineon的C3是基本同一个平台但有工艺改进而来的,那驱动Qg和结电容导致炸机的风险Toshiba和ST之类的风险要高于NCE,但个人目前觉得NCE做的东西还是有一定技术含量的,这与他们的老板原来是从Infineon出来的负责coolmos研发和制造的工作经历有关系.

如对COOLMOS有兴趣或有不明白的朋友可联系我大家一起探讨QQ:2873213122

全部回复(3)
正序查看
倒序查看
NTGY
LV.4
2
2014-10-21 08:56
推荐些大功率的600V coolMOS管,
0
回复
cszhwei
LV.6
3
2014-10-21 13:50
@NTGY
推荐些大功率的600VcoolMOS管,
QQ2873213122 联系或电话13724306268  2A-21A都有,个种封装。
0
回复
hurush
LV.3
4
2022-01-25 13:43

5N60的普通型MOS管,用个600V,5A的cool mos可以替代吗?

0
回复