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下一代高功率密度电源的效率

  • 2014-09-12 17:02
  • 新月GG

    LV.0
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  • 下一代高功率密度电源的效率现在能达到什么水平?

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  • shaguaxiao

    LV.1

    2014-09-12 17:24

    @

    不知道有没有达到96%,甚至97%,98%?
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  • dahaizi1212

    LV.1

    2014-09-24 16:57

    @shaguaxiao

    不知道有没有达到96%,甚至97%,98%?
    目前VICOR最高的模块有达到98%,但并不是所有的模块都达到98%的效率。
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  • tanb006

    LV.1

    2014-09-24 18:20

    @shaguaxiao

    不知道有没有达到96%,甚至97%,98%?
    也要看输入电压和输出电压的参数的,如果不惜成本,做到99%都有可能.
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  • ybw123

    LV.1

    2014-10-10 18:04

    @

    具有典型效率高达90%的一流功率密度和低漏电水平。
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  • l4981

    LV.1

    2014-10-11 19:44

    @tanb006

    也要看输入电压和输出电压的参数的,如果不惜成本,做到99%都有可能.
    现在应该接近99%了吧!反正98.5的是有了!
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  • transphorm

    LV.1

    2014-10-20 11:24

    @ybw123

    具有典型效率高达90%的一流功率密度和低漏电水平。

    提高功率密度无非是要提高开关频率使体积变小。

    硅高压半导体的物理特性决定了频率,一般400V以上的器件超过200KHZ的频率,管子发热很严重,损耗会成倍的加大。

    新型材料氮化镓MOSFET可以解决这问题。 氮化镓材料适合高频,600V以上的器件可以工作在1M以上。几百K是很简单的事。同时高频后并不会带来多少额外的损耗。

    下图表示了硅,碳化硅,氮化镓三者的高频,与损耗关系。可以看出,氮化镓有明显的高频优势。

    SI & GAN 1

    SI & GAN

    氮化镓可以做到1M HZ的开关频率的LLC,1000W的电源可以做到10cm *10cm.效率必须要高,否

    则热的问题无法解决。

    这么多年来,我们的电子技术发展基本上还是那几个拓扑,但器件的发展可以为电源带来质的变化。

    更多请看资料。

    可以很好地应用在LLC电源,PFC电路,半桥,全桥电路上。逆变电源。。。。


    氮化镓MOSFET介绍.pdf

    200K LLC+PFC 250W 95.4%效率.pdf

    1000W无整流桥PFC,效率99.3%.pdf

    有些IE/浏览器不支持附件下载,请下载google chrome,它支持所有下载。

    本人亲测。请理解与支持。或你自己下载试下其它的IE浏览器。

    有安装 迅雷 的朋友,可以点击右键下载,这样更快。

    更多资料请从这里下载: http://pan.baidu.com/s/1sjyPuOX

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  • zrk7401

    LV.1

    2014-10-20 15:33

    @

    下一代高功率密度电源具有典型效率高达90%的一流功率密度和低漏电水平
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