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开发“电子星球”APP的初衷是打造一所属于工程师的全民大学,通过...
2020年度慕尼黑上海电子展新主题:融合创新,智引未来。展会为电...
会议主题: 高可靠隔离电源风险评估设计
时间: 2019-08-15
主讲嘉宾: 苏伟健
报名人数: 600
会议主题:2020电源网国际电力电子直播节
会议时间:2020年7月-10月
会议地点:电源网直播间 电子星球app
报名人数:2000+
是德带你抢“壕”礼
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下一代高功率密度电源的效率现在能达到什么水平?
同是电子工程师,请一定不要吝啬你的赞!
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2014-09-12 17:24
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2014-10-20 11:24
提高功率密度无非是要提高开关频率使体积变小。
硅高压半导体的物理特性决定了频率,一般400V以上的器件超过200KHZ的频率,管子发热很严重,损耗会成倍的加大。
新型材料氮化镓MOSFET可以解决这问题。 氮化镓材料适合高频,600V以上的器件可以工作在1M以上。几百K是很简单的事。同时高频后并不会带来多少额外的损耗。
下图表示了硅,碳化硅,氮化镓三者的高频,与损耗关系。可以看出,氮化镓有明显的高频优势。
氮化镓可以做到1M HZ的开关频率的LLC,1000W的电源可以做到10cm *10cm.效率必须要高,否
则热的问题无法解决。
这么多年来,我们的电子技术发展基本上还是那几个拓扑,但器件的发展可以为电源带来质的变化。
更多请看资料。
可以很好地应用在LLC电源,PFC电路,半桥,全桥电路上。逆变电源。。。。
氮化镓MOSFET介绍.pdf
200K LLC+PFC 250W 95.4%效率.pdf
1000W无整流桥PFC,效率99.3%.pdf
有些IE/浏览器不支持附件下载,请下载google chrome,它支持所有下载。
本人亲测。请理解与支持。或你自己下载试下其它的IE浏览器。
有安装 迅雷 的朋友,可以点击右键下载,这样更快。
更多资料请从这里下载: http://pan.baidu.com/s/1sjyPuOX
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2014-10-20 15:33
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