请教关于驱动芯片IXDD630的问题

用4片IXDD630来驱动H桥的4只MOSFET，4片IXDD630的EN端同时受外部信号控制：当输出电压正常时，该信号为10V，IXDD630正常工作；当输出电压高于设定值时，控制信号翻转为0.4V，即4片IXDD630的EN端同时变为低电平。用的控制器UC3875，在开环调试时，发现当控制信号变为低电平时，IXDD630并没有关闭，而且开关频率变为原来的1/3，导致MOSFET烧掉，有DX使用过IXDD630的这一功能么？IXDD630.pdf