MOS驱动负载，MOS发热问题

大家好，我现在使用MOS管做的驱动负载电路，当使用电子负载做实验时负载电流加到3A时，MOS管工作一会就会非常热，请问各位高手是什么原因啊？电路如下图所示：

VO_XX为12V， CPU_KZ1为CPU 3.3v控制信号，MOS管为IRF540N,FZ_1+ 为负载负极，负载正极接12V电源,当CPU_KZ1为高时，负载开通，为低，负载关断

先谢谢大家

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wuchanghyz

LV.2

2014-08-10 12:38

要看MOS管的耗散功率，电路工作是否正常。按你的接法，一般情况下，不会出现短路情况，所以估计是MOS管内阻过大导致的。

chunhai

LV.2

2014-08-10 12:48

@wuchanghyz

要看MOS管的耗散功率，电路工作是否正常。按你的接法，一般情况下，不会出现短路情况，所以估计是MOS管内阻过大导致的。

那请教兄弟，内阻过大的原因可能是什么造成的呢？

泥腿子混技术

LV.5

2014-08-11 14:43

电路设计不合理，R45 10K值太大。我有些便低内阻的MOS 更能胜任这个电路。

chunhai

LV.2

2014-08-11 18:10

@泥腿子混技术

电路设计不合理，R4510K值太大。我有些便低内阻的MOS更能胜任这个电路。

兄弟可以再说详细些么？万分感谢了啊

btma

LV.8

2014-08-11 22:00

MOS要加大散热器，但IRF540N经常有假货，你可测量其工作时的压降，建议更换MOS管。

chunhai

LV.2

2014-08-12 07:31

@btma

MOS要加大散热器，但IRF540N经常有假货，你可测量其工作时的压降，建议更换MOS管。

我现在是没加散热器测的，测量哪两端的压降确定是否假货啊？还有用哪个代替IRF540性价比号呢？谢谢

btma

LV.8

2014-08-12 14:06

@chunhai

我现在是没加散热器测的，测量哪两端的压降确定是否假货啊？还有用哪个代替IRF540性价比号呢？谢谢

没加散热器是要热，必须加。测DS压降。替代比如75N75.

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