以前做单管的时候，就出现过上电爆机的情况。莫名其妙的，插电爆机，虽然几率很低，但是还是有发生的。由于是上电瞬间发生的事情，已经无法再现，对分析起来很不利。只能通过主观的推测来寻找问题的答案。
现在分析起来有如下可能性，抛砖引玉，欢迎大家批评指正。
1、米勒电流导致误动作。这种情况是我们最为熟悉的，因为各种资料都会提及，并且其典型现象就是上电导致爆机。上电瞬间IGBT CG间存在的米勒电容导致电流流向G极，使得G极电位升高，当超过IGBT导通阈值时，杯具就发生了。我们一般会在GE间加入一个泄放电阻，常见的就是10KΩ。之前在设计的时候，不知道这个10K电阻起的什么作用，见大家都那么加，也就人云亦云，而且值都不敢换一个，一概10KΩ。
但是，大家的IGBT选择都有所不同，不同型号，不同功率的IGBT，米勒电容也不尽相同，总体看，功率越大，米勒电容越强劲。有时，10K的泄放电阻未必能起到应有的作用。甚至选择不当，有可能直接击穿GE极。当米勒电容大的时候需要适当降低泄放电阻的阻值。
下图是某手册（AN-5073.pdf）中提到的降低米勒电流影响的方法，不过貌似很少有人这样去用。没有深入研究该电路为什么不直接放一个泄放电阻了事，这种电路好处是什么？请大侠解疑释惑。
2、MCU初始化。很多设计中，单管的驱动是通过MCU输出来进行控制。在MCU上电时，默认的引脚通常会置于高电平，而如果在初始化时没有考虑到将驱动口最先拉低，并且恰巧，设计的是高电平有效，也就有可能在上电复位瞬间，一个脉冲出去了。根据实际测量，如果是在程序最开始放置让驱动口关闭的指令，都会有1-5us的脉冲发射出去，如果没能及时初始化，也是有可能出问题的。当然不同的设计，时间会有差别。只是想说，这点需要特别注意考虑。
3、MCU程序紊乱。这点其实很好理解，掌握关键驱动信号的MCU出毛病了，后果肯定是致命的。不过我所说的并不是通常意义上的程序跑飞了，而是低压问题。不论是上电还是断电，都可能使得MCU在较低的电压下工作，而电压低到一定程度，MCU是不可靠的。什么事情都有可能发生，为了避免它鬼使神差的开通了IGBT驱动，最好还是在MCU选项中加入低压复位功能。
以上是我根据实际经验，总结的三条可能性，因为都是理论分析和推断，可能会有不对的地方，请大家指出以及补充。
