关于BP2832A非隔离降压型辐射不能通过

各位大侠看看，该怎么解决？

输出正负对地各加103/1KV瓷片电容。

这倒是没试过，我主要是通过把D1即续流二极管由原来的ES1J改成RS1M，辐射情况有一些改善，原因可能是由于反向恢复时间的不同导致的，即ES1J是超快恢复二极管，最大反向恢复时间为35nS，RS1M是快恢复二极管，最大反向恢复时间为500nS，我觉得RS1M反向回复时间有点长，下次做辐射试试RS1J，它的反向恢复时间为250nS，1M和1J的主要区别就是最大反向耐压不同，1M是1000V，1J是600V。其次我也在整流桥之后的PI型滤波中的电感感量由1mH改为2-3mH，输出并上1206的200K电阻，还有并上2.2uF/400V的电解电容，整机改下来后的辐射图是这样的：

大家看看，这张辐射图可能跟上面的电路图有不一致，这张是整流桥前加了些滤波元件，不过辐射效果跟这差不多。

不知道为啥同样的板子，在另一个认证机构辐射却过不了？

割地试试。和负载有关系，越大则辐射越强。屏蔽T，很多办法，慢慢试。兄弟。

你在LED- 串一个pF级的电容到地、或者在DRAIN 端串个磁珠、或者在续流二极管的正极穿磁珠。