共基拓扑

共基拓扑其实并非新鲜事物，

集成电路的「电压扩展」就是这样用的。

扩压与帮流

共射（或共集）的驱动，永远做不出共基的速度，

看过 [u]何希才[/u] 大师的一本书，他那套 GTR 驱动电路 比普通收音机的电路还复杂，用的电压竟是 64V，电流输出的能力比GTR的 Ic 还大，我就觉得，如斯强大的功率，拿来甭作任何加工直驱射极也绰绰有余了吧？!

大家会否觉得，共基拓扑不是应该 没有任何东西在基极 才对的吗？ 

我也这样想，但是，开关是需要一些过驱动的，在基极设置小值电阻，可能是作为防止 振铃及严重过驱 之用，那 二极管 的作用，则可能是减小 射极断路 时的基极『接地』阻抗吧。

共基拓扑其实并不高深莫测，

作为放大器，射极是受控端，讯号源的负载相当于大功率二极管，

有些初阶（比入门进了一步）书刊说共基电路是个恒流「源」，是的，集极本来就具备恒流特性，共基偏置让此特性最大强化，

共基拓扑除了恒流，其实还可充当『电子滤波器』，带负载的是射极，当输入输出压差太大时，在集极插入电阻可分担管子功耗，对射极状况几乎没有影响（因管子是不饱和的），

『电子滤波器』所带的如果是扰动性负载，就会变得像个共基组态的放大电路，跟负载相同的扰动会出现于整个电网。

共基拓扑，其实一点也不 神秘奥妙，看这图，

上一排是接 电源地（电源、讯号、负载 接的都是电气地）的，下一行是「交流地」制式，可以见到，演绎三种组态 只需摆弄 接地、讯号与负载 三者的位置，根本就不用改变系统架构。

共基组态没有电流增益，在一众有源器件中，BJT 的输入行程是最短的（一伏不到），但如果单管电流真能达到千安级，那么你的驱动也要千安级的（这已经是一个电镀槽的规模了啊），

如果驱动者是有源器件，那就势必运行于钳位状态，管耗严重（且浪费能源），除非主力管的基极能落到地电位，则驱动者将可得到既永久且无需「谐振」条件的ZVS，米勒效应是抹不掉的，但在ZVS环境下就作不了恶了。

欲给开关管设置 ZVS，就要并联电容，

管子的开关工况虽然柔化了，但开关瞬间的过驱动还是省不掉的，

基极电位的突然飚升 有可能导致真正的集电结正偏（接收机的猝发强讯号阻塞故障之成因），而共基拓扑的驱动是射极下拉，集极电位不会像基极飚升那样的突然陷落，集电结真正正偏的情况应该较为轻微甚至不发生。

三极管，尤其是BJT，有一个叫做 “特征频率” 的参数 fT，共射组态到了此频率，管子的放大倍数已跌至 1，

这频率介乎 fα 与 fβ 之间，这意味着 fα与fβ 成了无法跨越的鸿沟，驱动再强，管子也无能为力，所以我说了 “永远” 这两个字。

共射组态受制于 fβ，共基拓扑的频限在 fα，

把 PNP和NPN 两个BJT 以可控硅接法建造于芯片中，只能叫做 集成电路，PNPN架构 才是真正的元件（可控硅、IGBT），同一道理， “IMHT” 是元件的名称，既然是个元件，芯片建造时就应该把cascode拓扑转化为PN叠层架构才对（这元件也是四层），

还有，共射管的管效实际上可说是零（比纯甲模式的 50% 还糟），只有降低共基管的基极电位，才能减小共射管的功耗，以增强型管子担当共基级，共射管的痛苦是无法解脱的！