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IGBT模块的构造

图 1-6、图 1-7 中显示了具有代表性的IGBT模块构造。图 1-6 中表示的端子台一体构造模块,是通过采用外壳与外部电极端子的一体成型构造,达到减少部件数量和减低内部配线电感的目的。另外,通过采用DCB(Direct CopperBonding)基板,得到低热阻和高抗折强度的高可靠性产品。图 1-7 表示的引线端子连接构造IGBT模块,并不是通过锡焊使主端子与DCB 基板相连的,而是采用引线连接的构造。由此达到封装构造的简易化、小型化、超薄化、轻量化和削减组装工数的目的。

此外,关于通过 IGBT 和FWD 芯片的最合理化配置有效地实现热分散,以及通过均等配置上下支路的IGBT 元件使开通时的过渡电流平衡均等,从而不增加开通时的损耗等,已经在产品中得以实现。



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2014-05-22 16:57
IGBT 是通过在功率MOSFET 的漏极上追加p+层而构成的,在门极—发射极之间外加正电压使功率MOSFET导通时,pnp 晶体管的基极—集电极间就连接上了低电阻,从而使pnp 晶体管处于导通状态。此后,使门极—发射极之间的电压为0V 时,首先功率MOSFET 处于断路状态,pnp 晶体管的基极电流被切断,从而处于断路状态。IGBT 模块基本上以1 in 1、2 in 1、6 in 1、(7 in 1)、PIM 这4 种形式存在的。
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