IGBT短路问题
IGBT在发生短路的情况下,C、E之间的电流迅速增大,使模块退饱和,C、E之间的电压升高,保护电路通过C、E的电压升高检测到短路发生,立即进行保护,为什么短路会使模块退饱和呢?请高手指点,谢谢!
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@diacharge
或许可以这样解释: 饱和的时候,IGBT的晶体管部分的电流关系满足:Ib>>Ic/N(其中:Ib:基极电流;Ic:集电极电流;N:电流放大倍数). 当IGBT短路后,Ic迅速上升,由于驱动信号没有变化,Ib保持不变,从而使得IGBT的晶体管部分的电流关系满足Ib=Ic/N,晶体管部分进入线性放大区,退出饱和状态. 不知道这样解释对不对,请各位大牛不吝赐教,小弟刚刚来这个论坛,还请大家多多关照.
抵抗短路的能力是IGBT的一个重要参数,主要是其中的一项参数来表明.具体什么参数记不清了.电流迅速增大,CE之间的电压升高,并不是退饱和,而是由于电流增大所致.
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@xkw1
在3KW的系统内,可以用该方案,超过就只有测CE压降法了!我估计楼主来前没仔细看过IGBT数据表,IGBT是主导GTR结构,说白了就是大个三极管做主通元件.它和普通三极管一样有放大曲线.只是输入加FET缓冲后变成了跨导.曲线形状是一样的,所有数据表都有这曲线!IGBT安全工作区有电压\电流\时间三个数据.IGBT可靠保护延时是10us.通常的标准保护驱动器延时是2-5us,有软保护关闭和硬保护关闭两种.
好在这是论坛,怕是牛头不对马嘴,你把IGBT直接短路试试,1200V管加300V电短路驱动18V时1US就坏了,驱动 7V时100US也不坏,说明与驱动关系最大!但驱动又和效率相关,难折中啊!
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@xkw1
在3KW的系统内,可以用该方案,超过就只有测CE压降法了!我估计楼主来前没仔细看过IGBT数据表,IGBT是主导GTR结构,说白了就是大个三极管做主通元件.它和普通三极管一样有放大曲线.只是输入加FET缓冲后变成了跨导.曲线形状是一样的,所有数据表都有这曲线!IGBT安全工作区有电压\电流\时间三个数据.IGBT可靠保护延时是10us.通常的标准保护驱动器延时是2-5us,有软保护关闭和硬保护关闭两种.
用三菱的驱动芯片57962的保护(检测ce的压降),能够无损的对igbt的短路情况进行保护吗?三菱的igbt使用手册给出的能够耐受100次多路,是否表示短路是无法实现无损保护的呢?
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@董万华
好在这是论坛,怕是牛头不对马嘴,你把IGBT直接短路试试,1200V管加300V电短路驱动18V时1US就坏了,驱动7V时100US也不坏,说明与驱动关系最大!但驱动又和效率相关,难折中啊!
看看IGBT地安全工作曲线!你如果退耦太差,关断IGBT的短路电流时会有高压产生,击毁IGBT.因此;大电流IGBT可靠保护要用慢关断,或主回路退耦要出色!!!千万别把过压击毁和过流击毁搞混了!虽然最终表现结果一样!再看看最好的有保护的IGBT保护驱动IC!
1102904660.pdf1102905072.pdf
1102904660.pdf1102905072.pdf
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@北方人
[图片] [图片] [图片] [图片] [图片] [图片] [图片] [图片] [图片] 给你一个短路[图片] 保护时的波形看下。[图片] [图片] [图片] [图片] [图片] [图片] [图片] [图片] [图片] 黄色为驱动波形,绿色为母线电压波形,紫色为电流波形,电流实际值要乘5(因为探头与示波器档位不同。
IGBT为450A富士的IGBT,可见在短路时电流升至近4000A,此后时IGBT内阻增加,电流呈下降趋势,IGBT内耗急速增加,此时间不能过长,要及时关断。关断时要注意由于杂散电感而引起的C点电位的急剧升高,此电路加入有源钳位功能,将电位钳在1320V上下,IGBT耐压为1700V。
母线电压由于有电容在支撑,只在刚短时有急剧掉落的现象,2uS后电压回复,电流越小回复越快,此时CE点电位在180V上下。
短路保护电路是自已做的。57962不能成功抑制突波,IGBT易过压击穿。
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@北方人
IGBT为450A富士的IGBT,可见在短路时电流升至近4000A,此后时IGBT内阻增加,电流呈下降趋势,IGBT内耗急速增加,此时间不能过长,要及时关断。关断时要注意由于杂散电感而引起的C点电位的急剧升高,此电路加入有源钳位功能,将电位钳在1320V上下,IGBT耐压为1700V。母线电压由于有电容在支撑,只在刚短时有急剧掉落的现象,2uS后电压回复,电流越小回复越快,此时CE点电位在180V上下。短路保护电路是自已做的。57962不能成功抑制突波,IGBT易过压击穿。
你这个驱动有短路降栅压,还有有源箝位
从Vce(sat)看是2类短路,或者是母线杂散电感偏大的一类短路
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