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Nmos和Pmo在一起s能做开关电源?而且效率会更高?

 

我刚开始的时候用的是推挽类型的Nmos,但是效率不高,有一个师兄跟我说用Nmos和Pmos组成如下图的电路可以减小发热量,而且效率也会提升,说是当方波为0时,Pmos导通,方波为高电压时Nmos导通,由于一直使用Nmos,但是这种接法我刚接触过,而且mos管发热量很小?希望高手们能不能帮我解答一下

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2013-12-26 09:01

P-MOS接反了,电路也不是这个样的,不是全桥就得有个电容。。

现在的P-MOS电压做不高,内阻做不低,价格下不来,暂时没法普及应用。。。

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2013-12-26 09:02
上臂用PMOS无非是为了驱动方便,但是你这么简单的办法是不行的,因为没法设置死区,用专用的自举式高低边驱动器驱动两个NMOS很方便,并且自带死区,比如IR2110,IR2106,FAN7382什么的
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2013-12-26 09:35
@qinzutaim
P-MOS接反了,电路也不是这个样的,不是全桥就得有个电容。。现在的P-MOS电压做不高,内阻做不低,价格下不来,暂时没法普及应用。。。[图片]

你好,qinzutain军长,你想说的是不是半桥电路呢?

但是军长见没见过 Pmos和Nmos组合的电路呢?

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2013-12-26 09:46
@rj44444
上臂用PMOS无非是为了驱动方便,但是你这么简单的办法是不行的,因为没法设置死区,用专用的自举式高低边驱动器驱动两个NMOS很方便,并且自带死区,比如IR2110,IR2106,FAN7382什么的
你好,rj44444旅长,经常拜读你的作品帖子,在上副图中,我师兄跟我说了一下,不知道他说的是否正确,当方波是0的时候Pmos导通,给电感充电。在普通的mos管中的发热量是因为直流量通过mos对地组成回路才发热,他的想法是Pmos导通,但是Nmos不导通,那么Pmos的发热量就会很小,而且对变压器充电,充电的过程就是电压变化的过程。当是高电平时,Pmos截止,Nmos导通,至于这个方式放电。但是我总感觉有什么不对的地方,由于我理论知识的有限,找不出有力的理论依据。
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2013-12-26 10:27
@machao6734
你好,rj44444旅长,经常拜读你的作品帖子[图片],在上副图中,我师兄跟我说了一下,不知道他说的是否正确,当方波是0的时候Pmos导通,给电感充电。在普通的mos管中的发热量是因为直流量通过mos对地组成回路才发热,他的想法是Pmos导通,但是Nmos不导通,那么Pmos的发热量就会很小,而且对变压器充电,充电的过程就是电压变化的过程。当是高电平时,Pmos截止,Nmos导通,至于这个方式放电。但是我总感觉有什么不对的地方,由于我理论知识的有限,找不出有力的理论依据。

你说的驱动方法和我上面这幅图应该是一个意思,存在的问题军长已经指出了。这种驱动方式严格限制了电源电压,因为电源电压决定了栅源极间驱动电压,对于一般的MOSFET,电源电压大概在几V到二三十V之间。另外这种方法没用办法设置死区,上下管的交叠损耗是很大的

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2013-12-26 11:22
@machao6734
你好,qinzutain军长,你想说的是不是半桥电路呢?[图片]但是军长见没见过 Pmos和Nmos组合的电路呢?
见识有点少,楼主能不能告诉我你的电路如何工作?PMOS的哪个极接电源正极?
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2013-12-26 18:13
@rj44444
[图片]你说的驱动方法和我上面这幅图应该是一个意思,存在的问题军长已经指出了。这种驱动方式严格限制了电源电压,因为电源电压决定了栅源极间驱动电压,对于一般的MOSFET,电源电压大概在几V到二三十V之间。另外这种方法没用办法设置死区,上下管的交叠损耗是很大的
这种驱动方式严格限制电源电压我知道,就是Pmos管电压做不高,但是设置死区,总得来说只有一路方波,不存在死区的问题,因为当方波是0的时候Pmos导通,方波是高电平的时候是Nmos导通。就像旅长上副电路图中我觉得就是一路方波分别推Pmos和Nmos,旅长,你怎么看呢?
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2013-12-26 18:15
@qinzutaim
见识有点少,楼主能不能告诉我你的电路如何工作?PMOS的哪个极接电源正极?[图片]
你好,军长,电路图就跟rj44444旅长所给的差不多,当方波是0的时候,Pmos导通,给电感充电,当方波是1的时候,Nmos给电感放电,大概就是这个原理,你看呢?
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2013-12-27 08:50
@machao6734
这种驱动方式严格限制电源电压我知道,就是Pmos管电压做不高,但是设置死区,总得来说只有一路方波,不存在死区的问题,因为当方波是0的时候Pmos导通,方波是高电平的时候是Nmos导通。就像旅长上副电路图中我觉得就是一路方波分别推Pmos和Nmos,旅长,你怎么看呢?

死区问题是肯定存在的,开关不是瞬间完成的。电源电压被限制不是受制于PMOS的耐压,而是MOSFET的栅源击穿电压,不管是PMOS还是NMOS,栅源击穿电压一般不会超过30V

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