驱动的疑惑

LV.10

2013-12-02 16:47

帮忙解释下为什么后面的图比前面的图MOS温升高？黄色是驱动电阻前蓝色是驱动电阻后面（MOS的G级）波形

LV.10

2013-12-03 08:49

@冰上鸭子

帮忙解释下为什么后面的图比前面的图MOS温升高？黄色是驱动电阻前蓝色是驱动电阻后面（MOS的G级）波形

掉下去了大家帮忙分析下

gowithwind

LV.3

2013-12-03 10:17

@冰上鸭子

帮忙解释下为什么后面的图比前面的图MOS温升高？黄色是驱动电阻前蓝色是驱动电阻后面（MOS的G级）波形

你的门级驱动电阻怎么选的，貌似下图的大些啊。

sinican

LV.8

2013-12-03 10:27

MOS 的导通与 Qg 是有关的，你所看到的驱动上升波形实质上也是一个给 Qg 充电的过程

Qg 充至某点时， MOS 才会呈开关态，某点以下就处于线性区；同样放电也一样

从驱动波形看， Qg 的充电过程当中，后者没有顺畅的提升; 或者说驱动电阻有些大或驱动波形不稳

LV.7

2013-12-03 10:32

按理讲，是不是下图的MOS交叉耗热应该比上图小才对？

LV.10

2013-12-03 10:51

@gowithwind

你的门级驱动电阻怎么选的，貌似下图的大些啊。

上图驱动22欧姆下图10欧姆

LV.9

2013-12-03 10:51

@冰上鸭子

帮忙解释下为什么后面的图比前面的图MOS温升高？黄色是驱动电阻前蓝色是驱动电阻后面（MOS的G级）波形

应该把关断的波形也抓出来，才能分析；

也许第2个关断时波形不好

LV.10

2013-12-03 10:56

@sinican

MOS的导通与Qg是有关的，你所看到的驱动上升波形实质上也是一个给Qg充电的过程Qg充至某点时，MOS才会呈开关态，某点以下就处于线性区；同样放电也一样从驱动波形看，Qg的充电过程当中，后者没有顺畅的提升;或者说驱动电阻有些大或驱动波形不稳

我怎么看安原理讲，驱动陡峭有利于MOS的开通，开关损耗小，但是我实测驱动电阻10的比22的MOS温升还高，就是不理解为什么

LV.10

2013-12-03 10:56

@问问达达

按理讲，是不是下图的MOS交叉耗热应该比上图小才对？

我也是这么想的所以疑惑

LV.7

2013-12-03 10:58

@冰上鸭子

我也是这么想的所以疑惑

会不会与DS回路的什么东西有关？

rj44444

2013-12-03 11:07

两个图的第一个上升时间和平台时间的总长看不出太明显的区别，是不是IC驱动能力限制导致改变这个驱动电阻收效甚微

LV.10

2013-12-03 11:09

@jianyedin

应该把关断的波形也抓出来，才能分析；也许第2个关断时波形不好

关断 10也比22的好空了我去抓下

LV.10

2013-12-03 11:11

@rj44444

两个图的第一个上升时间和平台时间的总长看不出太明显的区别，是不是IC驱动能力限制导致改变这个驱动电阻收效甚微

芯片是BCD的3842 这我都没想到驱动能力的问题，照理3842驱动8N60不能存在驱动不足啊

LV.9

2013-12-03 11:12

@rj44444

两个图的第一个上升时间和平台时间的总长看不出太明显的区别，是不是IC驱动能力限制导致改变这个驱动电阻收效甚微

关键是看关断，关断的速度比开通的速度要慢；开通太快有时会引起关断时振荡

LV.10

2013-12-03 11:13

@jianyedin

关键是看关断，关断的速度比开通的速度要慢；开通太快有时会引起关断时振荡

下午回来再去抓下关断波形

LV.7

2013-12-03 11:15

@jianyedin

关键是看关断，关断的速度比开通的速度要慢；开通太快有时会引起关断时振荡

改变栅极串联电阻，开通和关断时间是不是会同时变大或变小？

rj44444

2013-12-03 11:16

@冰上鸭子

芯片是BCD的3842 这我都没想到驱动能力的问题，照理3842驱动8N60不能存在驱动不足啊

是的，3842不存在

LV.9

2013-12-03 11:17

@冰上鸭子

芯片是BCD的3842 这我都没想到驱动能力的问题，照理3842驱动8N60不能存在驱动不足啊

看波形，驱动是够的，不存在驱动不足

sinican

LV.8

2013-12-03 11:27

@冰上鸭子

我怎么看安原理讲，驱动陡峭有利于MOS的开通，开关损耗小，但是我实测驱动电阻10的比22的MOS温升还高，就是不理解为什么

MOS 的温升是开关损耗和导通损耗的集合

LV.10

2013-12-03 13:22

@问问达达

改变栅极串联电阻，开通和关断时间是不是会同时变大或变小？

是同时在变哦还要继续实验一定要找到原因

LV.9

2013-12-03 13:58

@冰上鸭子

是同时在变哦还要继续实验一定要找到原因

看关断也是10欧的好，确实不解；

确定测试条件是一致？

LV.7

2013-12-03 14:08

@jianyedin

看关断也是10欧的好，确实不解；确定测试条件是一致？

请问温升怎么测量？两种情况下相差多少？

LV.10

2013-12-03 14:51

@问问达达

请问温升怎么测量？两种情况下相差多少？

同等条件，用FULKE17B自带的温度探头高温胶带包到MOS上测得

gowithwind

LV.3

2013-12-03 15:34

@冰上鸭子

是同时在变哦还要继续实验一定要找到原因

查了一下书，要考虑MOSFET的门限电压。一般而言，如果门限电压大于2V，那么Rdrive-on/Rdrive-off的比值小一些可以减小开关损耗；如果门限电压小于2V,那么Rdrive-on/Rdrive-off的比值大一些好。

gowithwind

LV.3

2013-12-03 15:38

@gowithwind

谈一谈MOSFET的温升。

1,MOSFET的温升与损耗相关，Fet的损耗包括开关损耗和导通损耗；

2,导通损耗的计算公式Pcond=Idc*Idc*D*Rds(on)---与门级驱动没有什么关系；

3,所以我们的重点是分析开关损耗，下面我们看看开关损耗的计算公式

A， Psw=1/3*Vds*Idmax*Tcross*Fsw (电阻负载)

B， Psw=Vds*Idmax*Tcross*Fsw (电感负载)

从上面的公式，我们可以看出开关损耗，在Vds,Idmax,Fsw一定的情况下，与电流与电压的交叉时间 Tcross关系很大(也就是门极驱动)

C, 基本上Tcross由Fet的栅极充、放电时间常数Tg= Rdrive*Cg 和门限电压Vt来决定---(Cg=Cgs+Cgd,Cg为输入电容，Rdrive 为驱动电阻)