工频机要稳定，还得是管压降探测！

工频机要稳定，还得是管压降探测！

趁着前段时间不忙，我又研究了工频机。现在我将一点心得写出来，和大家共勉。

大部分的朋友认为工频机较高频的扎实，其实我认为工频机要做到万无一失还是需要非常多的机器和经验的。首先我们来看一组照片：

这是我一个客户拍的照片，晚上给我发来的，从以上照片可以看出来，这些管子一旦坏了，就是一排排的炸掉，可见这个保护，是要做的很给力才能避免类似情况。

我一直在试验很多保护，在H桥的电路中有几种保护：

1，  H桥负极加采样电阻的保护，这种电路的特点是直接采样H桥的母线电流，用电流峰值做短路保护，该电路存在的缺陷就是不隔离，H桥母线上的干扰很大，在工频机里面，H桥上走的电流超大，对该采样电阻的要求很高，采样电阻大了，自己发热，采样电阻小了，反应不过来，还能影响驱动，这个在大功率的逆变上，没有人这么干了。我之前用2110加采样电阻这样搞过，太费力，保护不一定好，功率还出不来，长期可靠性有待验证。

2，  H桥输出用电流互感器采集，这个办法在经典的APC的UPS上出现了。这是一种无损检测方式，值得大家学习与采用，他具有H桥在每个SPWM脉冲输出的时候，探测电流的能力，隔离采样，无干扰，灵敏度很高，因为SPWM脉冲频率不高，所以这个互感器的带宽并不需要多高。但是确定依然很明显，这个互感器因为采集到的脉冲有相当多的部分是在超过50%占空比下，需要一个去磁电路，另外由于输出是双极性的，需要一堆外部运放比较器之类的东西搭个限流保护监测的信号处理单元，APC的机器上这部分很复杂。另外这个磁芯需要很高的抗低频工频纹波的特性，这一个指标就能让成本很高了。

3，  管压降探测，我之前所想的是工频的耐折腾，应该随便一个保护都可以，实际上并不是这样，做惯了高频，啥都要想着最完善的保护，没有想到在工频上走了弯路，其实一定要按照高频的保护，照搬到工频上来，这样才能让工频机如虎添翼，一边能有强带载能力的体现，一边能将寿命保证到最长。

工频机并联管子的问题。

在中小功率的工频机中，大部分都是用的MOSFET并联，而且通常的做法，是一并就并N多N多。炸起来，也是一炸炸N多N多，呵呵。我也炸过的，后面想想，MOSFET这种东西还得从头开始学习。

MOSFET有个特性，你并联越多了，导通内阻是小了，但是并联的结电容也越多了，结电容越多了，驱动也难了，好不容易解决了驱动问题，GS波形漂亮了，但是还在发热，而且好像比不并还热点，而且有的开机就炸了，高频逆变后级部分的H桥，经常听到有人问我，高压IRFP460并联，还没有带载就炸了。

其实并联的不但增加了驱动上结电容，而且增加了米勒电容，这个米勒我们看不到，我习惯统称为米勒。这个地方很致命，我曾经详细说过这个电容的机理，在此不再说明。

米勒电容的表现为，管子并联多了，这个电容会在MOSFET的GD上越并越多。这样在H桥上形成很大的DV/DT的尖峰脉冲，这个是会严重影响效率的，因为他会造成上下2管的轻微直接导通。随着管子的热量开始积累，越来越严重，这也是我为何一定要分开光耦隔离驱动，外加正负电源驱动MOSFET的原因。请看下面的波形：那个尖刺就可以看出来了，能影响MOSFET的。

为何我认为工频机的快速保护，采用管压降的方式要好呢，下面慢慢开始讨论：（未完待续）