说起二极管的开关特性，大家都会想到“二极管的反向恢复时间”。这也是衡量一个二极管开关速度的主要参数。大家对此都很熟悉。不过，下面我想先谈谈二极管的正向恢复时间 ~

对于“二极管正向恢复时间”，好像关心的人很少。电源网的坛子里似乎也没有相关的帖子。相反，在“世纪电源”的论坛里，关于这个话题曾经有过“热闹的”辩论。有人认为“正向恢复只是书本上一个概念” ~

让我们先来看一下反激电源MOS管Vds 的波形。一般的RCD计算的资料中的图形是这样的 - 

上面的波形是理想的样子，把二极管看成了一个理想的开关。很多讲RCD计算的AN里都是这样的。而实际上的波形会有些不同，比如说我之前的帖子中的例子。波形是下面的样子 ~

实际的波形非但远没有理想的波形漂亮，还有一个很高的尖峰。这个尖峰超过50-60V。单凭这一点计算公式就有了很大误差了。 

下面的图中 - 蓝色的是二极管UF4007的正极波形，黄色是二极管的负极 ~

由图中看到二极管在Vds上升后，并没有能很快地导通。在开始的几十至一百ns内，二极管的正向导通电压有几十V之多。几十V的正向电压 - 换句话说也就是二极管没有导通。

后来终于也有人开始正视这个问题了 ~  比较近期的资料上已经清楚的标出了这个由于二极管正向导通延时而造成的尖峰。

大多数的二极管制造商都不会在 datasheet 中给出这个“正向恢复时间”的参数。于是大家也一直觉得相对于反向的恢复时间，正向导通是相当快的，可以忽略不计。事实上，在某些快速开关的场合，这个参数还是要考虑的。像LINEAR的这个AN中提到的  -

Diode Turn-On Time Induced Failures - an122f 

也不是所有的二极管规格书中都没有提到“正向恢复”这个参数，还是让我找到了一个 - ON Semi 的

MUR260-D 。

在 MUR260 的规格书中给出的正向恢复时间是50ns。看来比UF4007要快

这里并不想深入讨论“正向恢复”这个参数。由于这个参数会对RCD的线路多少有些影响，所以想比较一下不同开关速度的二极管的正向导通特性的差异。 以下的例子中还是用“ 谈谈 RCD 的计算结果为何与实验参数出入很大  ”中的反激电源为例  ~

反激电源工作在DCM模式；　　变压器 PQ3230：
初级电感 Lp = 205uH；　　
初级漏感 L_lk = 5.5uH （@ 1KHz）;  用LC谐振的方法测得： L_lk = 2.1uH
开关频率 fs = 76KHz
初级电流 Ipeak = 3.13A   （输出 12.4V / 5A)
钳位电压 Vsn = 210V
反射电压 Vor = 85V ； Vin = 140V

 
上图中是用三种不同开关速度（反向恢复时间）的二极管UF4007、FR107和1N4007 来作比较。可以发现其正向恢复时间是差不多的。如果真的要仔细比较的话，那么UF4007 好像要导通的稍微慢一点儿 ~

上面各波形对应的RCD参数如下 - 

那么如果电阻 Rsn =39K 和电容 Csn = 10nF 不变，而只改变二极管呢？

由上面的图中看出 - 钳位电压Vsn随着二极管的反向恢复时间的加长而显著下降。

使用反向恢复时间长的二极管（其作用） - 

1. 可以使钳位电压 Vsn 降低。

2. 1N4007不但能降低 Vsn，还大大降低了初级漏感L_lk与 MOS 管 Coss谐振的幅度（有利于改善EMI）。

看一看实验中的这几种最常用的的二极管的反向恢复时间 ~

对于 UF4007 和 FR107， 看了一些厂家的 datasheet， 其反向恢复时间是完全一样的。 然而，1N4007 就不同了。像Good Ark 的 1N4007 ，反向恢复时间 Trr只有 2us（还是比较快的）， 但通用半导体的1N4007有 30us 之多。还有的厂家没有注明反向恢复时间的，可能比30us还要长。

所以 PI 的资料中讲，不要用没有标明反向恢复时间的 1N4007 ~

楼主,关注你很久了,谢谢你的大公无私,共同进步

谢谢你帮忙验证，我再去看一下 ~