• 回复
  • 收藏
  • 点赞
  • 分享
  • 发新帖

看看这个变压器参数

输入:176~264V  输出:25V 0.3A  f=48khz, 效率n=0.8 占空比D=0.4
计算过程:Vs=176*1.2=211V
Pin=Vo*Io/n=9.375W
Np=(Vs*D)/(f*B*Ae)=305.2T    取306T  (变压器用EE16 B=0.3T;Ae=19.2mm2)
Vor=D*Vs/(1-D)=141V 
N=Vs/(Vo+0.7V)=5.48
Ns=Np/N=55.8T  取56T
Iave=Pin/Vs=0.044A
IP=2*Iave/D=0.22A
LP=(Vs*D)/(f*Ip)=8mh
Iprms=Ip*(D/3)1/2=0.08A
dp=(4*Iprms/(5*3.14))1/2=0.142mm 
Np:线径0.15mm  306T  Lp=8mh
Isp=N*Ip=5.48*0.22=1.2A
Isrms=Isp*((1-D)/3)1/2=0.54A
ds=(4*Isrms/(5*3.14))1/2=0.37mm 
Ns:线径0.37mm  56T
这个变压器参数有点奇怪,帮忙看看是不是哪边取值有问题
全部回复(8)
正序查看
倒序查看
2013-07-26 12:18
 f=48khz??
0
回复
rex_boy
LV.3
3
2013-07-26 15:00
@最爱电源
 f=48khz??
是的,芯片资料上说40--48KHZ比较容易通过EMI测试,所以我就设在48K上了,有什么问题吗?
0
回复
2013-07-26 19:48
@rex_boy
是的,芯片资料上说40--48KHZ比较容易通过EMI测试,所以我就设在48K上了,有什么问题吗?
100K或130K
0
回复
higel
LV.8
5
2013-07-28 09:08

反射电压141V,RCD钳位电压算是2*141=282V,加上最大输入电压375V,已经超过650V了

你用多高电压的MOSFET?

0
回复
2013-07-28 09:34

你这个计算的参数很高,不过我看了下计算,感觉没问题啊!

0
回复
higel
LV.8
7
2013-07-28 09:40
@chenyankun
你这个计算的参数很高,不过我看了下计算,感觉没问题啊!

输入高压,占空比去0.4有点大了

全电压输入范围时,占空比一般都才取0.45左右

0
回复
rex_boy
LV.3
8
2013-07-29 10:12
@higel
反射电压141V,RCD钳位电压算是2*141=282V,加上最大输入电压375V,已经超过650V了你用多高电压的MOSFET?

钳位电压为什么会是2*141?会有这么高吗?

0
回复
rex_boy
LV.3
9
2013-07-29 10:14
@higel
输入高压,占空比去0.4有点大了全电压输入范围时,占空比一般都才取0.45左右

嗯,这个占空比取得有点大了,后来改成了0.33

0
回复