QR反激准谐振控制的疑问及延伸设计

参加了电源网在北京的研讨会，之前就对老梁的QR演讲内容很感兴趣。而且现场效果也很不错。收获颇多。因为在小功率应用中反激绝对是主流方案，为了提高效率减少EMI辐射准谐振控制模式是当下最流行的控制方案。

首先感谢下组织者电源网和演讲嘉宾。因为时间限制有些地方讲的太快，有几个疑问没来的及提出，在此开一贴作为深入讨论希望原作者和各位高手尽释疑惑。其它对于这种控制模式有的疑惑也尽可提出。在讨论中进步。

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zhenxiang

LV.10

2013-04-17 13:16

我先说一个为什么准谐振能改善EMI性能?，准谐振实际是工作在DCM模式，此时的峰值电流实际要比CCM下要大，必然导致MOS的导通损耗增加。次级二极管和滤波电容的峰值电流也大，那么在低压输入的情况下比CCM模式控制有何优势。

电源网-源源

LV.10

2013-04-17 17:59

顶~~~

电源网-fqd

2013-04-17 18:00

@电源网-源源

[图片]顶~~~

sometimes

2013-04-17 18:22

@zhenxiang

我觉得QR还是在输入电压比较高的时候有优势,低压应该不占据优势.

心中有冰

2013-04-17 20:22

@zhenxiang

其实QR能改善EMI的说法，主要是考虑有些IC本身会带有一定的抖频功能，将频谱分散了而已，峰值电流确实是比深度CCM的要大，但考虑到开关管开通的时候，其两端电压较小，所以此时的dv/dt较小，一定程度上可以改善EMI，同事可以降低MOSFET的开通损耗。

其实QR这个拓扑比较适合前级有PFC预稳压的电路，这样就能充分发挥出QR电路的优势，如果在宽范围输入的应用中，当输入电压较低时，可能真的不如CCM的机子

zhenxiang

LV.10

2013-04-18 08:18

@电源网-fqd

[图片]

感谢SOMETIMES老师的回复。稍等我把准谐振芯片的应用设计资料汇总传上来。好做比较和借鉴。

zhenxiang

LV.10

2013-04-18 08:21

@zhenxiang

感谢SOMETIMES老师的回复。稍等我把准谐振芯片的应用设计资料汇总传上来。好做比较和借鉴。

还有个问题，在谐振时间段主要是反射电压和MOS D-S结电容谐振，这个说法对吧。所以设高的反射电压可增加谐振能量，使得谷底更低开通损耗更小。那么此时的漏感时起到什么作用。

老梁头

LV.10

2013-04-18 08:24

@心中有冰

其实QR能改善EMI的说法，主要是考虑有些IC本身会带有一定的抖频功能，将频谱分散了而已，峰值电流确实是比深度CCM的要大，但考虑到开关管开通的时候，其两端电压较小，所以此时的dv/dt较小，一定程度上可以改善EMI，同事可以降低MOSFET的开通损耗。其实QR这个拓扑比较适合前级有PFC预稳压的电路，这样就能充分发挥出QR电路的优势，如果在宽范围输入的应用中，当输入电压较低时，可能真的不如CCM的机子

冰版说的很详细，这个拓扑我觉得功率比较大的时候不太适合做全范围输入，而是前级加PFC会发挥出他的优势。而在小功率的场合因峰值电流相对较小，MOS的导通损耗比起开通损耗占的比重很小，这时可以发挥它的长处。

我手头有几台国外的样机，功率在70W左右用的是3843的CCM模式，做的全范围输入，效率比起QR来说一点都不次。所以两者比起来，正如上述所说，QR在大功率低压输入时带上PFC应该能把QR的长处充分发挥出来！

老梁头

LV.10

2013-04-18 08:40

@zhenxiang

还有个问题，在谐振时间段主要是反射电压和MOSD-S结电容谐振，这个说法对吧。所以设高的反射电压可增加谐振能量，使得谷底更低开通损耗更小。那么此时的漏感时起到什么作用。

我感觉漏感起的正作用不大，反而还是反作用比较大，就是带来的MOS管的尖峰···

fjsh2188

LV.5

2013-04-18 09:39

我也玩过单独的QR反激模式，但是，THD一直在20-28%徘徊，怎么都降不下来；

aczg01987

LV.10

2013-04-18 09:39

@心中有冰

现在好多的IC都有加频率抖动功能

yulen123

LV.2

2013-04-18 09:40

感觉应该上个原理图！让我们更好的学习

aczg01987

LV.10

2013-04-18 09:41

@老梁头

冰版说的很详细，这个拓扑我觉得功率比较大的时候不太适合做全范围输入，而是前级加PFC会发挥出他的优势。而在小功率的场合因峰值电流相对较小，MOS的导通损耗比起开通损耗占的比重很小，这时可以发挥它的长处。我手头有几台国外的样机，功率在70W左右用的是3843的CCM模式，做的全范围输入，效率比起QR来说一点都不次。所以两者比起来，正如上述所说，QR在大功率低压输入时带上PFC应该能把QR的长处充分发挥出来！

老梁，我问你一下，QR模式的IC是否每个负载点都能保证谷底导通呢？这个怎么实现的呢?

aczg01987

LV.10

2013-04-18 09:43

@老梁头

我感觉漏感起的正作用不大，反而还是反作用比较大，就是带来的MOS管的尖峰···

漏感应该是LLC电路有用的

tangchaobao

LV.4

2013-04-18 09:43

@老梁头

我感觉漏感起的正作用不大，反而还是反作用比较大，就是带来的MOS管的尖峰···

aczg01987

LV.10

2013-04-18 09:44

@yulen123

感觉应该上个原理图！让我们更好的学习

老梁的演讲资料里面有图的

aczg01987

LV.10

2013-04-18 09:44

@zhenxiang

感谢SOMETIMES老师的回复。稍等我把准谐振芯片的应用设计资料汇总传上来。好做比较和借鉴。

期待

心中有冰

2013-04-18 14:53

@aczg01987

老梁，我问你一下，QR模式的IC是否每个负载点都能保证谷底导通呢？这个怎么实现的呢?

但不是第一个谷底

aczg01987

LV.10

2013-04-18 16:14

@心中有冰

但不是第一个谷底

冰冰，我知道不是第一个谷底，我是想知道怎么保证都是谷底导通的，或者说调试的时候怎么调试才能保证每个负载点（至少3/4, 1/2, 1/4能在谷底导通）？

之前用OB2361，说是准谐振的IC，可是我发现在满载和轻载的时候能保证在谷底导通，3/4载时在第四个谷底导通，但2.5/4载时没在谷底导通呢？不知道是没调试好还是怎样？

zhenxiang

LV.10

2013-04-19 08:33

@aczg01987

老梁的演讲资料里面有图的

说说我听讲后最大的疑惑；一般资料上介绍QR靠检测谷底导通减少开通损耗，在第一个谷底肯定是导通电压的最低点，所以建议在重载，高压输入时在震荡的第一个谷底导通，轻载时一般片子都具有谷底锁定功能，最多可到第四个谷底导通，再轻载时就会工作在跳周期模式了。那么附件演讲讲义的实测波形

这个重载波形为什么不选择在第一个谷底导通，是出于什么考虑

zhenxiang

LV.10

2013-04-19 08:36

@zhenxiang

说说我听讲后最大的疑惑；一般资料上介绍QR靠检测谷底导通减少开通损耗，在第一个谷底肯定是导通电压的最低点，所以建议在重载，高压输入时在震荡的第一个谷底导通，轻载时一般片子都具有谷底锁定功能，最多可到第四个谷底导通，再轻载时就会工作在跳周期模式了。那么附件演讲讲义的实测波形[图片] 这个重载波形为什么不选择在第一个谷底导通，是出于什么考虑

这个重载波形为什么不选择在第一个谷底导通，是出于什么考虑。。再贴个其它资料上的QR重载导通波形

老梁头

LV.10

2013-04-19 10:06

@zhenxiang

这个重载波形为什么不选择在第一个谷底导通，是出于什么考虑。。再贴个其它资料上的QR重载导通波形[图片]

这个应该和我选取的谐振时间有关系，我取了5%的整个周期。要是取得小点，电感量会变大。我估计会进去zhen版说的第一个谷底导通

心中有冰

2013-04-19 11:04

@aczg01987

冰冰，我知道不是第一个谷底，我是想知道怎么保证都是谷底导通的，或者说调试的时候怎么调试才能保证每个负载点（至少3/4,1/2,1/4能在谷底导通）？之前用OB2361，说是准谐振的IC，可是我发现在满载和轻载的时候能保证在谷底导通，3/4载时在第四个谷底导通，但2.5/4载时没在谷底导通呢？不知道是没调试好还是怎样？

QR芯片都有个过零检测脚位，通过检测VCC绕组的电压来检测谷底