• 回复
  • 收藏
  • 点赞
  • 分享
  • 发新帖

请教关于MOSFET的耗散功率

MOSFET的DATASHEET里都有一个耗散功率,随温度升高耗散功率降低,请问这个耗散功率是什么意思.比如一个MOSFET在25度时的耗散功率是400W,那这个MOSFET是否就不能用在600W输出的BOOST升压APFC上?另外,如果是半桥逆变电路,输出为600W,那么是否每个MOSFET的耗散功率只要选择300W就够了?
请指教,谢谢!
全部回复(5)
正序查看
倒序查看
yxh5692
LV.2
2
2006-10-11 11:07
希望能得到高手指点!
0
回复
daphnis
LV.2
3
2006-10-11 11:18
这个功率是指的这个mos管自己本身可以承受的这么大的功率.

所以跟你整个的电路输出功率是没有直接关系的.

所以这个功率跟你那个功率是两回事...可不可以用取决与你的mosfet部分电路承受.
0
回复
yxh5692
LV.2
4
2006-10-11 11:22
那这个耗散功率是不是Id平方X Rds?这样算的话电流要大大于额定的Id才会超过这个功率.那给出这个数据就没什么意义了吧
0
回复
daphnis
LV.2
5
2006-10-11 11:54
@yxh5692
那这个耗散功率是不是Id平方XRds?这样算的话电流要大大于额定的Id才会超过这个功率.那给出这个数据就没什么意义了吧
id平方Xrds,只是在该条件下的rds,不是他的最大耗散功率.
rdson是随着器件的运行而改变的.

所以要算在最恶劣情况下的,rds及在该条件下运行的电流,电流值和最大耗散功率值必须仔细观察因为它
们只有当背板温度到25 ˚ C时才能达到.

所以你那样算出来.不是它的最大耗散功率.
0
回复
yxh5692
LV.2
6
2006-10-11 12:01
谢谢指教,那MOSFET的选择和这个耗散功率就没有什么关系了好象,因为即使在最恶劣情况下算出来的值也是远远低于额定的耗散功率的.可是我不明白,为什么一个母线电压400V、输出600W的半桥逆变电路,要选用Id高达40A的MOSFET?
0
回复
工程师都在看
TEA2016做的方案各位大神帮我看看有没问题！第一次做LLC第一次用2016
爱学习的负豪
RCD线路基础讲解
hy658
请问下变压器设计时，这两个参数怎么定？
dy-1CssLAzJ
纹波和噪声有啥区别？（一）
砖一谈芯
【得捷之选】 基础功能测试——定时器功能
无言的朝圣
立
即
发
帖