谢谢大家的关注,本公司代理的CREE产品,是由政府出资的,开发的产品SiC材料提供给美国军方,同时近几年也买给Osram,英飞凌,ROHM等本导体厂家.可以用来生产LED,RF,LIGHTING, power Switching等,近几年现在我们的一些产品也可以转为民品在市场上销售,并得到广大知名电源的厂家的关注,本公司可以为广大大功率电源厂家提供在300V下的20A和10A,在600V的1A,2A,4A,6A,10A和20A,在1200V下的5A,10A,20A 的肖特基二极管,在附件中有肖特基二极管的选择相关资料供大家参考.
由于SiC的势垒为3.3EV,Si的势垒为1.1EV,这是SiC和Si本身特性的差异．这种特性导致他们的物理特性不一样,如SiC的导电率是Si的3倍,致使能承受更大的电流,能带隙是Si的3倍,致使能承受更高的温度;10倍于Si的溃崩电压,在相同的电压时,有更低的内阻,更快的响应速度．1160660508.pdf 回复第10帖 编辑 好评 差评
colinzhou0504: 第11帖 [今天 22:36] 一
由于这些特点,加上肖特基本身的特性,是单极性的N极．故在高温,高压时都保持良好的电气特性．致使它更适合在高压高温的条件下使用,如大功率的电路中PFC的电路中,有人认为SiC的价格高,实际上并不是这样,首先,他可以用来代替大电流的快恢复二极管,如CSD010600的1A的SiC在200W中可以代替8A/600vSi-3产品.由于肖特基本身的特性,可以增加电路的频率,减少开关损耗,由于高能带隙,能降低系统的温度,能够减少磁环的磁通量,减少电容值,降低Mosfet的负载,减少电路的EMI,使电路更容易的通过EMI测试．减小PCB的面积．基于以上优点,现在已经为最大的电源厂家台达,TYCO等单位使用,应用于200W以上的电路尤为明显,降低了系统的温度20~40度,功耗,成本．
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同时我们还代理SUPERTEX/OSRAM/SSC的产品,涉及LED驱动,LED,IR,LASER,OLED的产品．
