变压器起绕点的问题与屏蔽层

如从反激中

 1、如MOSFET的D极起绕的话，骨架的第一层先绕上屏蔽，然后再从MOSFET的D极起绕。

2、如大电解的正极端起绕的话，第一层不屏蔽。

3、如MOSFET的D极起绕的话，第一层不屏蔽。

以上如果从EMI的角度来说，可以的话具体分析一下这三种的利与弊。具体那一种好一点，还是具体问题具体分析。

因为我看到有很多做的小功率的都是用的第三种的。

 常说热点与冷点起绕。

第一种指的是冷点起绕吗？

第二种指的是热点起绕吗？