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感应加热工作在容性区有什么后果.

如题
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2012-12-12 14:30
输出功率因素下降,产生震荡,波形变差,IGBT损耗加大,也可能反压击穿IGBT
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2012-12-12 19:51
@冉智ayong
输出功率因素下降,产生震荡,波形变差,IGBT损耗加大,也可能反压击穿IGBT
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MAO88
LV.3
4
2012-12-13 08:10
@firefox886
[图片]
**此帖已被管理员删除**
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yhxxm60
LV.5
5
2012-12-13 10:41
@MAO88
**此帖已被管理员删除**

大家要文明交流

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sdxtm
LV.3
6
2012-12-13 12:13
@yhxxm60
大家要文明交流

就是  不同意可以说嘛

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xiaohutu
LV.3
7
2012-12-13 17:44
如题也就太一概而论了,说明什么电路结构,控制逻辑。才能说去容性有没有问题
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2012-12-14 16:00
@xiaohutu
如题也就太一概而论了,说明什么电路结构,控制逻辑。才能说去容性有没有问题

有道理,我们做的大功率加热设备都是工作在容性区

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2012-12-14 16:22
@MAO88
**此帖已被管理员删除**
兄弟,不好意思,我啥都不懂啊,只知道文明交流,听你们讲课!
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冉智ayong
LV.6
10
2012-12-14 17:00
@否极泰来
有道理,我们做的大功率加热设备都是工作在容性区
楼主说的肯定是串联结构的嘛
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yhxxm60
LV.5
11
2012-12-14 19:54
@否极泰来
有道理,我们做的大功率加热设备都是工作在容性区

并联谐振一般工作在容性负载

串连谐振一般是工作在感性负载

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王鲲鹏
LV.3
12
2012-12-15 22:25
@yhxxm60
并联谐振一般工作在容性负载串连谐振一般是工作在感性负载
串联半桥工作在容性区 会出什么问题么
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firefox886
LV.9
13
2012-12-17 13:12
@王鲲鹏
串联半桥工作在容性区会出什么问题么

等待各位版主大人来讲课!

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2012-12-19 11:25
@firefox886
等待各位版主大人来讲课!
关注学习
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天斌
LV.5
15
2013-01-28 10:23
@老钟电源IC
关注学习

学习下,

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2013-01-28 10:50
@天斌
学习下,

工作在容性区,简单的讲,等同于负载是一个电容,容性区越大,等同的负载电容也越大

半桥上臂对容性区的等同电容充电,下臂放电

一是会带来无意义的消耗,剧烈发热

二是,对电容充电放电瞬间,电流极大,有多大,能达到上KA的峰值电流,当然持续时间很短,一般几十ns,想想你用的半桥模块,能抗的住这么高的瞬时电流吗

几个脉冲就会炸掉

 

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firefox886
LV.9
17
2013-01-28 12:32
@冉智ayong
输出功率因素下降,产生震荡,波形变差,IGBT损耗加大,也可能反压击穿IGBT
 
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xiaoxia8630
LV.5
18
2013-01-28 18:42
@米山人家
工作在容性区,简单的讲,等同于负载是一个电容,容性区越大,等同的负载电容也越大半桥上臂对容性区的等同电容充电,下臂放电一是会带来无意义的消耗,剧烈发热二是,对电容充电放电瞬间,电流极大,有多大,能达到上KA的峰值电流,当然持续时间很短,一般几十ns,想想你用的半桥模块,能抗的住这么高的瞬时电流吗几个脉冲就会炸掉 

我来给你们终极释疑:说的没错,串联逆变器确实不适合工作在容性区,但是其危害远远小于并联逆变器工作在感性区,区别就是串联逆变器工作的容性区越大,其总的功率反而越小(偏离谐振点越远),所以其只是承受了极短的电流冲击,而功率器件是能够承受短期功率冲击的,且越容性区频率越低,而如果偏离容性区不大,也不会损坏IGBT,最通俗的解释就是这个等效电容小了,电源滤波电容途径导通的IGBT向这个容性的逆变器充电电流变小了.自然这是建立在功率器件有富裕量的情况下.而如果并联逆变器工作感性区,其是近似恒流源供电,换流过程中的尖峰电压冲击比瞬时电流冲击危害大的多,当然这个感性区也要达到一个值,一点点没问题,当换向引起的尖峰电压达到IGBT正向耐压峰值立马就击穿IGBT,(可控硅做逆变器不能工作在感性区,因为要靠反压关断),而且越往感性区,尖峰电压越高,功率器件承受功率越大.无解.另:即便并联电源工作在容性区,仍然不能偏离太远,否则因为IGBT串联的起反向阻断快速恢复二极管承受过高换向反压尖峰而击穿.

    至于二楼冉智说的,输出功率因素下降.这个只要偏离谐振点功率因数就下降并不是不能工作在容性区的理由,而产生震荡,波形变差只是结果,原因就是恒压源供电,瞬时对容性负载充放电产生瞬时电流过大造成的.至于可能反压击穿IGBT,也是连可能都不会的,因为串联逆变器的功率器件不需要正反阻断,所以IGBT本身是不承受反压的(因为IGBT都有续流二极管),而由可控硅组成的串联逆变器是非要工作在容性区.(需反压关断),并联谐振需要正反阻断.是通过串联二极管,所以也是二极管承受反压,在并联逆变器IGBT也不会因为承受反压击穿,只会击穿外部串联二极管,

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firefox886
LV.9
19
2013-01-28 19:12
@xiaoxia8630
我来给你们终极释疑:说的没错,串联逆变器确实不适合工作在容性区,但是其危害远远小于并联逆变器工作在感性区,区别就是串联逆变器工作的容性区越大,其总的功率反而越小(偏离谐振点越远),所以其只是承受了极短的电流冲击,而功率器件是能够承受短期功率冲击的,且越容性区频率越低,而如果偏离容性区不大,也不会损坏IGBT,最通俗的解释就是这个等效电容小了,电源滤波电容途径导通的IGBT向这个容性的逆变器充电电流变小了.自然这是建立在功率器件有富裕量的情况下.而如果并联逆变器工作感性区,其是近似恒流源供电,换流过程中的尖峰电压冲击比瞬时电流冲击危害大的多,当然这个感性区也要达到一个值,一点点没问题,当换向引起的尖峰电压达到IGBT正向耐压峰值立马就击穿IGBT,(可控硅做逆变器不能工作在感性区,因为要靠反压关断),而且越往感性区,尖峰电压越高,功率器件承受功率越大.无解.另:即便并联电源工作在容性区,仍然不能偏离太远,否则因为IGBT串联的起反向阻断快速恢复二极管承受过高换向反压尖峰而击穿.  至于二楼冉智说的,输出功率因素下降.这个只要偏离谐振点功率因数就下降并不是不能工作在容性区的理由,而产生震荡,波形变差只是结果,原因就是恒压源供电,瞬时对容性负载充放电产生瞬时电流过大造成的.至于可能反压击穿IGBT,也是连可能都不会的,因为串联逆变器的功率器件不需要正反阻断,所以IGBT本身是不承受反压的(因为IGBT都有续流二极管),而由可控硅组成的串联逆变器是非要工作在容性区.(需反压关断),并联谐振需要正反阻断.是通过串联二极管,所以也是二极管承受反压,在并联逆变器IGBT也不会因为承受反压击穿,只会击穿外部串联二极管,
  
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冉智ayong
LV.6
20
2013-01-28 20:12
@xiaoxia8630
我来给你们终极释疑:说的没错,串联逆变器确实不适合工作在容性区,但是其危害远远小于并联逆变器工作在感性区,区别就是串联逆变器工作的容性区越大,其总的功率反而越小(偏离谐振点越远),所以其只是承受了极短的电流冲击,而功率器件是能够承受短期功率冲击的,且越容性区频率越低,而如果偏离容性区不大,也不会损坏IGBT,最通俗的解释就是这个等效电容小了,电源滤波电容途径导通的IGBT向这个容性的逆变器充电电流变小了.自然这是建立在功率器件有富裕量的情况下.而如果并联逆变器工作感性区,其是近似恒流源供电,换流过程中的尖峰电压冲击比瞬时电流冲击危害大的多,当然这个感性区也要达到一个值,一点点没问题,当换向引起的尖峰电压达到IGBT正向耐压峰值立马就击穿IGBT,(可控硅做逆变器不能工作在感性区,因为要靠反压关断),而且越往感性区,尖峰电压越高,功率器件承受功率越大.无解.另:即便并联电源工作在容性区,仍然不能偏离太远,否则因为IGBT串联的起反向阻断快速恢复二极管承受过高换向反压尖峰而击穿.  至于二楼冉智说的,输出功率因素下降.这个只要偏离谐振点功率因数就下降并不是不能工作在容性区的理由,而产生震荡,波形变差只是结果,原因就是恒压源供电,瞬时对容性负载充放电产生瞬时电流过大造成的.至于可能反压击穿IGBT,也是连可能都不会的,因为串联逆变器的功率器件不需要正反阻断,所以IGBT本身是不承受反压的(因为IGBT都有续流二极管),而由可控硅组成的串联逆变器是非要工作在容性区.(需反压关断),并联谐振需要正反阻断.是通过串联二极管,所以也是二极管承受反压,在并联逆变器IGBT也不会因为承受反压击穿,只会击穿外部串联二极管,

xiaoxia8630大师: 个人理解不一样吧, 我一直拿尖峰电压说成反压   其它似乎也没说错,多谢指点

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冉智ayong
LV.6
21
2013-01-28 20:16
@firefox886
[图片] 
引用他们一句话:你技术行不行不知道,但你IQ肯定很低
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王鲲鹏
LV.3
22
2013-01-29 11:14
@xiaoxia8630
我来给你们终极释疑:说的没错,串联逆变器确实不适合工作在容性区,但是其危害远远小于并联逆变器工作在感性区,区别就是串联逆变器工作的容性区越大,其总的功率反而越小(偏离谐振点越远),所以其只是承受了极短的电流冲击,而功率器件是能够承受短期功率冲击的,且越容性区频率越低,而如果偏离容性区不大,也不会损坏IGBT,最通俗的解释就是这个等效电容小了,电源滤波电容途径导通的IGBT向这个容性的逆变器充电电流变小了.自然这是建立在功率器件有富裕量的情况下.而如果并联逆变器工作感性区,其是近似恒流源供电,换流过程中的尖峰电压冲击比瞬时电流冲击危害大的多,当然这个感性区也要达到一个值,一点点没问题,当换向引起的尖峰电压达到IGBT正向耐压峰值立马就击穿IGBT,(可控硅做逆变器不能工作在感性区,因为要靠反压关断),而且越往感性区,尖峰电压越高,功率器件承受功率越大.无解.另:即便并联电源工作在容性区,仍然不能偏离太远,否则因为IGBT串联的起反向阻断快速恢复二极管承受过高换向反压尖峰而击穿.  至于二楼冉智说的,输出功率因素下降.这个只要偏离谐振点功率因数就下降并不是不能工作在容性区的理由,而产生震荡,波形变差只是结果,原因就是恒压源供电,瞬时对容性负载充放电产生瞬时电流过大造成的.至于可能反压击穿IGBT,也是连可能都不会的,因为串联逆变器的功率器件不需要正反阻断,所以IGBT本身是不承受反压的(因为IGBT都有续流二极管),而由可控硅组成的串联逆变器是非要工作在容性区.(需反压关断),并联谐振需要正反阻断.是通过串联二极管,所以也是二极管承受反压,在并联逆变器IGBT也不会因为承受反压击穿,只会击穿外部串联二极管,
ccps呢 那个不就是工作在容性区么
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2013-01-30 22:01
@xiaoxia8630
我来给你们终极释疑:说的没错,串联逆变器确实不适合工作在容性区,但是其危害远远小于并联逆变器工作在感性区,区别就是串联逆变器工作的容性区越大,其总的功率反而越小(偏离谐振点越远),所以其只是承受了极短的电流冲击,而功率器件是能够承受短期功率冲击的,且越容性区频率越低,而如果偏离容性区不大,也不会损坏IGBT,最通俗的解释就是这个等效电容小了,电源滤波电容途径导通的IGBT向这个容性的逆变器充电电流变小了.自然这是建立在功率器件有富裕量的情况下.而如果并联逆变器工作感性区,其是近似恒流源供电,换流过程中的尖峰电压冲击比瞬时电流冲击危害大的多,当然这个感性区也要达到一个值,一点点没问题,当换向引起的尖峰电压达到IGBT正向耐压峰值立马就击穿IGBT,(可控硅做逆变器不能工作在感性区,因为要靠反压关断),而且越往感性区,尖峰电压越高,功率器件承受功率越大.无解.另:即便并联电源工作在容性区,仍然不能偏离太远,否则因为IGBT串联的起反向阻断快速恢复二极管承受过高换向反压尖峰而击穿.  至于二楼冉智说的,输出功率因素下降.这个只要偏离谐振点功率因数就下降并不是不能工作在容性区的理由,而产生震荡,波形变差只是结果,原因就是恒压源供电,瞬时对容性负载充放电产生瞬时电流过大造成的.至于可能反压击穿IGBT,也是连可能都不会的,因为串联逆变器的功率器件不需要正反阻断,所以IGBT本身是不承受反压的(因为IGBT都有续流二极管),而由可控硅组成的串联逆变器是非要工作在容性区.(需反压关断),并联谐振需要正反阻断.是通过串联二极管,所以也是二极管承受反压,在并联逆变器IGBT也不会因为承受反压击穿,只会击穿外部串联二极管,

有道理,是个高手

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xiaoxia8630
LV.5
24
2013-02-02 23:58
@冉智ayong
xiaoxia8630大师: 个人理解不一样吧,我一直拿尖峰电压说成反压[图片] 其它似乎也没说错,多谢指点
尖峰电压就是尖峰电压,岂能说成反压,这未免也太不严谨.尖峰电压有正向的有反向的,IGBT完全不会被反压击穿,连可能的机会都没有.只会被正向过电压击穿.
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firefox886
LV.9
25
2013-02-03 02:25
@xiaoxia8630
尖峰电压就是尖峰电压,岂能说成反压,这未免也太不严谨.尖峰电压有正向的有反向的,IGBT完全不会被反压击穿,连可能的机会都没有.只会被正向过电压击穿.
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735575630
LV.5
26
2013-02-03 11:36
@firefox886
[图片] [图片] 
左边的波形尖峰有下凹,是电感饱和了吧
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rocyang
LV.4
27
2013-02-03 11:42
@xiaoxia8630
尖峰电压就是尖峰电压,岂能说成反压,这未免也太不严谨.尖峰电压有正向的有反向的,IGBT完全不会被反压击穿,连可能的机会都没有.只会被正向过电压击穿.
反压是指电感反相感应电压,叠加在电源电压之上。你可能弄混了,和负压。
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王鲲鹏
LV.3
28
2013-02-03 19:11
@米山人家
工作在容性区,简单的讲,等同于负载是一个电容,容性区越大,等同的负载电容也越大半桥上臂对容性区的等同电容充电,下臂放电一是会带来无意义的消耗,剧烈发热二是,对电容充电放电瞬间,电流极大,有多大,能达到上KA的峰值电流,当然持续时间很短,一般几十ns,想想你用的半桥模块,能抗的住这么高的瞬时电流吗几个脉冲就会炸掉 


工作频率是谐振频率的一半

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firefox886
LV.9
29
2013-02-03 22:22
@735575630
左边的波形尖峰有下凹,是电感饱和了吧

绝对不是!

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xiaoxia8630
LV.5
30
2013-02-03 22:43
@rocyang
反压是指电感反相感应电压,叠加在电源电压之上。你可能弄混了,和负压。

好像不是我弄混淆了而是你弄混淆了,所谓的反向电压并非指电感因为电流跃变造成的感生电压.而是专指半导体承受的反向电压.请查阅相关书籍.或者直接百度.

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xiaoxia8630
LV.5
31
2013-02-03 22:45
@王鲲鹏
[图片]工作频率是谐振频率的一半
这个是工作在非常容性区的电流波形吧.
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