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【对战+无名】+三绕组去磁正激电路的占空比限制在0.5以下,为什么?

三绕组去磁正激电路一般设计成第三绕组与初级绕组匝数相同,同时进行双线并绕,这样就导致三绕组去磁正激电路的占空比限制在0.5以下,那么能解释下为什么吗?
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2012-12-03 10:08

这主要考虑伏秒平衡。

在一般情况下,励磁绕组和去磁绕组匝数相同时,那么也要求励磁时间和去磁时间相同。

就是励磁时间限制在0.5T以下了,这样才能保证有足够的时间去磁。以保证变压器不会饱和。

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linepro
LV.7
3
2012-12-03 10:11
在一个周期结束后,磁场要回到原点,负责会磁偏。充磁时间和去磁时间相同,所以50%。有强制去磁时间快的,占空比就可以大于50%。总之,磁配合电,电配合磁,这就是开关电源
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2012-12-03 15:43
伏秒平衡啊,你要用有源钳位,就可以大于0.5
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2012-12-03 16:25
@xz564425321
伏秒平衡啊,你要用有源钳位,就可以大于0.5
么玩过正激拓扑,学习ing...
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zhenxiang
LV.10
6
2012-12-03 17:14
@junestar520
么玩过正激拓扑,学习ing...
我认为如果复位绕组匝数大于主绕组匝数的话占空比就可以大于0.5,但是MOS的耐压也就升高了不止输入电压二倍了。得不偿失
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2012-12-10 18:12
@zhenxiang
我认为如果复位绕组匝数大于主绕组匝数的话占空比就可以大于0.5,但是MOS的耐压也就升高了不止输入电压二倍了。得不偿失
有时间研究研究正激....
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dulai1985
LV.10
8
2012-12-10 18:23
@junestar520
有时间研究研究正激....
学习啊~~正激也没有玩过~~~
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2012-12-10 18:57
@dulai1985
学习啊~~正激也没有玩过~~~
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junestar520
LV.9
10
2012-12-13 22:21
@junestar520
么玩过正激拓扑,学习ing...
不能沉,顶无名队!....
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