麻烦推荐几款1MHz的mos管
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可以用氮化镓(GaN)MOS管
优点:
1.功率密度高,封装小 (最小做到1.7mm*0.9mm)
2.Qg值小,只有普通MOS管的五分之一左右
3.RDSon很小
4.QRR值为0
5.功耗比英飞凌同级别的MOS管还要小很多
6.工作频率很高,可以达到1MHZ
7.开关速度10ns以下
8.性能比SIC都要好,但价格比SIC低。
缺点:
1.VGS为6V,所以驱动器很少,目前只有TI有,(LM5114 LM5113等型号)
2.耐压局限(目前只有40v 100V 200V 三个规格,600V的要明年初才出来)
目前最适合通信模块电源,超声波机器,医疗设备上。600v的目前是专为台达开设的型号。
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@glf680409
可以用氮化镓(GaN)MOS管优点: 1.功率密度高,封装小(最小做到1.7mm*0.9mm)2.Qg值小,只有普通MOS管的五分之一左右3.RDSon很小4.QRR值为05.功耗比英飞凌同级别的MOS管还要小很多6.工作频率很高,可以达到1MHZ7.开关速度10ns以下8.性能比SIC都要好,但价格比SIC低。缺点:1.VGS为6V,所以驱动器很少,目前只有TI有,(LM5114LM5113等型号)2.耐压局限(目前只有40v100V200V三个规格,600V的要明年初才出来) 目前最适合通信模块电源,超声波机器,医疗设备上。600v的目前是专为台达开设的型号。
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