关于MOS的安全工作区问题

MOS开机瞬间仅有一根电流尖峰，如下波形MOS的DS电流及电流波形

正常工作时便不出有这种现象出现了，MOS用的是STF13NM60，TO220F封装，如下附件，

请问此MOS能否安全工作？是否工作在MOS的安全区域？它的能量为多少？是否会超出雪崩能量？

麻烦各位帮忙解释一下，急。。。感谢了！！

STF13NM60

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小矿石

LV.10

2012-11-12 22:45

从你的波形和器件的datasheet看电流么有超出最大值

IRRM=17A,IDM=44A还是有裕量的

小矿石

LV.10

2012-11-12 22:47

建议好好看看datasheet就行了

关于各个封装的SOA都有讲的比较细

这与你的开关频率也有关系的

lucky_zsz

LV.2

2012-11-12 23:05

@小矿石

建议好好看看datasheet就行了关于各个封装的SOA都有讲的比较细这与你的开关频率也有关系的

是这样子来解释的吗？

IRRM=17A,IDM=44A应该是在什么条件下测得的吧？

这个波形，我的同事说是没有工作在安全工作区内，

请问有没有具体的计算呢？如果只是单看IRRM=17A,IDM=44A那SOA图呢？

麻烦请指点一下，谢谢

chendelei

LV.8

2012-11-12 23:18

这各很正常，天通瞬间是这样子．

lucky_zsz

LV.2

2012-11-12 23:29

@chendelei

这各很正常，天通瞬间是这样子．

请问是否有数据支撑吗？

心中有冰

2012-11-13 00:00

提示下：想想开通瞬间的米勒电容所起的作用吧！

dulai1985

LV.10

2012-11-13 01:02

@心中有冰

提示下：想想开通瞬间的米勒电容所起的作用吧！

建议看看这个帖子~~

http://bbs.dianyuan.com/topic/987183

ta7698

LV.9

2012-11-13 06:34

@心中有冰

提示下：想想开通瞬间的米勒电容所起的作用吧！

这个对的。

lucky_zsz

LV.2

2012-11-13 08:52

@ta7698

这个对的。

我那同事这样子回复我，请问这样是否正确，谢谢！

经初步计算已超出MOSFET之SOA.

当MOSFET之SOA曲线之10nS为20A时:

(Tj=150度 – Tc=25度)/ (500V*20A) = > Rthc=0.0125(度/W)

当Tc=100度时:

(Tj=150度 – Tc=100度)/ 0.0125(度/W) = > V*I=4000W

目前量测V=410,

I=4000W/410V=9.7A(max)

MOSFET之SOA最大值为9.7A < 15.5A (初步判定已超出MOSFET之SOA)

chendelei

LV.8

2012-11-13 09:02

@心中有冰

提示下：想想开通瞬间的米勒电容所起的作用吧！

MOS的寄生参数引起的?

lucky_zsz

LV.2

2012-11-13 09:06

@chendelei

MOS的寄生参数引起的?

现在暂时不讨论是哪个引起的，现在想知道的是这个状态是否正常？

怎么分析，我那同事分析得对吗？

心中有冰

2012-11-13 09:47

@lucky_zsz

我那同事这样子回复我，请问这样是否正确，谢谢！经初步计算已超出MOSFET之SOA. [图片] 当MOSFET之SOA曲线之10nS为20A时:(Tj=150度–Tc=25度)/(500V*20A)=>Rthc=0.0125(度/W)当Tc=100度时:(Tj=150度–Tc=100度)/0.0125(度/W)=>V*I=4000W目前量测V=410, [图片] I=4000W/410V=9.7A(max)MOSFET之SOA最大值为9.7A<15.5A(初步判定已超出MOSFET之SOA)

我觉得这样计算应该不是太科学的

SOA应该以如下两个图纸来理解与计算