high-side mosfet驱动问题

目前的光耦确实输出没有电源，所以驱动能力太弱，但这个方案也是最简单的。

应该是在驱动后加个图腾柱吧？这个图腾柱怎么供电？驱动必须浮地供电。

你的MOS侧没有电源的话，那MOS所需的驱动能量哪里来？？除非变压器驱动，而你这里又不能用。

图腾柱供电要与MOS侧共地。

1. 就是光耦自身微弱的驱动能力，只有几十uA级别的驱动电流，驱动能力不够。

2. 所以为了增大驱动电流，和隔离要求，找到了输出具有图腾结构的光耦，类似3帖说的。但是由于需要浮地供电，供电问题又不知道怎么解决

1、输入控制信号电流太小（ua级）的话还要先放大一下。

2、驱动供电要用单独电源，它的地接MOS源极，跟输入侧隔离。

1. 由于光耦输出需要驱动功率MOSFET，这个MOSFET的驱动电压在12~15V之间，能满足输出电流在几十mA，并且输出电压在12~15V的驱动光耦我没有找到，你知道哪些合适的光耦麻烦推荐下。

2. 由于隔离要求，上图光耦输出供电需要VDD通过变换得来，MOSFET导通后，MOSFET的栅极电压始终要高于VDD 12~15V，很麻烦。

3 . 另外有没有一种芯片输入对GND为15V，输出可以浮地输出15V，实际上就是输出对输入的一个电压搬移，

是你说的这种情况，隔离变压器和自举都无法使用。

拿TLP250来说，MOS关断时，光耦的VCC(8)-GND(5)为12V；MOS开通后光耦的GND(5)就会上浮一个电压VDD(MOSFET的漏极电压)，同样光耦的VCC(8)也要同步上浮一个VDD，这种供电方式有隔离式dc/dc能满足吗

 隔离式dc/dc可以提供随接地点浮动的供电电压，能实现你所说的要求。也可考虑一下用PMOS的方案，供电方面好处理得多（如下图）。源极直接接vdd，光耦对地控制栅极电位，可用普通型光耦，只是驱动能力会小一些。能说说输出电压、电流、时延等的要求吗？

VDD差不多比你上图的VDD高一点；

MOSFET开通时的电流有50A以上，时延最好不超过1ms，需要us量级的

由于上面的要求，PMOS可能不太合适，内阻大，价格贵

输出电流很大，那还是用原方案吧。DC/DC隔离降压电源模块应该有成品，可以在TB上找一下。