美国 宾夕法尼亚 MALVERN、中国 上海 — 2024年3月14日 — 日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出新型80 V对称双通道n沟道功率MOSFET---SiZF4800LDT,将高边和低边TrenchFET® Gen IV MOSFET组合在3.3 mm x 3.3 mm PowerPAIR® 3x3FS单体封装中。Vishay Siliconix SiZF4800LDT适用于工业和通信应用功率转换,在提高功率密度和能效的同时,增强热性能,减少元器件数量并简化设计。
日前发布的双通道MOSFET可用来取代两个PowerPAK 1212封装分立器件,节省50%基板空间。器件为设计人员提供节省空间的解决方案,用于同步降压转换器、负载点(POL)转换器、DC/DC转换器半桥和全桥功率级,适用领域包括无线电基站、工业电机驱动、焊接设备和电动工具。这些应用中,SiZF4800LDT高低边MOSFET提供50%占空比优化组合,同时4.5 V下逻辑电平导通简化电路驱动。
为提高功率密度,该MOSFET 在4.5 V条件下导通电阻典型值降至18.5 m,达到业内先进水平。比相同封装尺寸最接近的竞品器件低16 %。SiZF4800LDT低导通电阻与栅极电荷乘积,即MOSFET功率转换应用重要优值系数(FOM)为 131m*nC,导通电阻与栅极电荷乘积提高了高频开关应用的效率。
器件采用倒装芯片技术增强散热能力,热阻比竞品MOSFET低54 %。SiZF4800LDT导通电阻和热阻低,连续漏电流达36 A,比接近的竞品器件高38 %。 MOSFET独特的引脚配置有助于简化PCB布局,支持缩短开关回路,从而减小寄生电感。SiZF4800LDT经过100% Rg和UIS测试,符合RoHS标准,无卤素。
竞品对比表:
SiZF4800LDT现可提供样品并已实现量产,供货周期为26周。
VISHAY简介
Vishay 是全球最大的分立半导体和无源电子元件系列产品制造商之一,这些产品对于汽车、工业、计算、消费、通信、国防、航空航天和医疗市场的创新设计至关重要。服务于全球客户,Vishay承载着科技基因——The DNA of tech.®。Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市(VSH)的“财富1,000 强企业”。有关Vishay的详细信息,敬请浏览网站 www.vishay.com。
The DNA of tech®是Vishay Intertechnology的商标。PowerPAIR和TrenchFET是 Siliconix公司的注册商标。
声明:本内容为作者独立观点,不代表电源网。本网站原创内容,如需转载,请注明出处;本网站转载的内容(文章、图片、视频)等资料版权归原作者所有。如我们采用了您不宜公开的文章或图片,未能及时和您确认,避免给双方造成不必要的经济损失,请电邮联系我们,以便迅速采取适当处理措施;欢迎投稿,邮箱∶editor@netbroad.com。
Vishay推出饱和电流达230 A的超薄汽车级IHDF边绕电感器 | 24-04-24 16:05 |
---|---|
Vishay推出MiniLED封装高亮度小型蓝色和纯绿色LED | 24-04-18 15:58 |
英飞凌为汽车应用推出业内导通电阻最低的 80 V MOSFET OptiMOS™ 7 | 24-04-15 15:45 |
英飞凌推出用于功率MOSFET的新型SSO10T TSC顶部冷却封装, 为现代汽车应用提供更高效率 | 24-04-12 16:50 |
意法半导体车规MDmesh DM9超结MOSFET提升硅片能效 | 24-03-29 10:34 |