美国 宾夕法尼亚 MALVERN、中国 上海 — 2023年5月23日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出17款新型第三代650 V 碳化硅(SiC)肖特基二极管。Vishay Semiconductors器件采用混合PIN Schottky(MPS)结构设计,具有高浪涌电流保护能力,正向压降、电容电荷和反向漏电流低,有助于提升开关电源设计能效和可靠性。
日前发布的新一代SiC二极管包括4A至40A器件,采用TO-22OAC 2L和TO-247AD 3L 插件封装和D2PAK 2L(TO-263AB 2L)表面贴装封装。由于采用MPS结构,器件正向压降比上一代解决方案低0.3V,正向压降与电容电荷乘积,即电源能效重要优值系数(FOM),相比上一代解决方案降低17%。
与接近的竞品解决方案相比,二极管室温下典型反向漏电流低30%,高温下低70%。因此降低了导通损耗,确保系统轻载和空载期间的高能效。与超快恢复二极管不同,第三代器件几乎没有恢复拖尾,从而能够进一步提升效率。
与击穿电压相当的硅二极管相比,SiC二极管热导率高,反向电流低,反向恢复时间短。二极管反向恢复时间几乎不受温度变化的影响,可在+175 C高温下工作,不会因开关损耗造成能效变化。
器件典型应用包括发电和勘探应用领域FBPS和LLC转换器中的AC/DC功率因数校正(PFC)和 DC/DC超高频输出整流。器件具有高可靠性,符合RoHS标准,无卤素,通过2000小时高温反偏(HTRB)测试和2000次热循环温度循环测试,测试时间和循环次数是AEC-Q101规定的两倍。
新型SiC二极管现可提供样品并已实现量产,供货周期为八周。
VISHAY简介
Vishay 是全球最大的分立半导体和无源电子元件系列产品制造商之一,这些产品对于汽车、工业、计算、消费、通信、国防、航空航天和医疗市场的创新设计至关重要。服务于全球客户,Vishay承载着科技基因——The DNA of tech.。Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市(VSH)的“财富1,000 强企业”。有关Vishay的详细信息,敬请浏览网站 www.vishay.com。
The DNA of tech.TM 是Vishay Inter technology的商标。
声明:本内容为作者独立观点,不代表电源网。本网站原创内容,如需转载,请注明出处;本网站转载的内容(文章、图片、视频)等资料版权归原作者所有。如我们采用了您不宜公开的文章或图片,未能及时和您确认,避免给双方造成不必要的经济损失,请电邮联系我们,以便迅速采取适当处理措施;欢迎投稿,邮箱∶editor@netbroad.com。
Vishay推出MiniLED封装高亮度小型蓝色和纯绿色LED | 24-04-18 15:58 |
---|---|
Vishay推出旋钮电位器,简化工业和音频应用设计并优化成本 | 24-03-20 15:32 |
Vishay的新款80 V对称双通道 MOSFET的RDS(ON) 达到业内先进水平,可显著提高功率密度、能效和热性能 | 24-03-14 13:36 |
Vishay推出升级版TFBS4xx和TFDU4xx系列红外收发器模块,延长链路距离,提高抗ESD可靠性 | 24-03-13 15:20 |
Vishay推出的新款浪涌限流PTC热敏电阻可提高有源充放电电路性能 | 24-03-06 16:06 |