瑞森半导体-国内少数第三代半导体SiC成功量产的企业

瑞森（REASUNOS）半导体起步于2007年，是一家致力于功率半导体电子元器件研发与销售的国家高新技术型企业。产品系列包括碳化硅SiC功率器件、电源驱动IC、硅基MOS功率器件和ESD&TVS静电保护器件等。

瑞森半导体专注于功率半导体技术的研发，公司研发人员占比40%，获得近50+知识产权 、发明专利、实用新型专利等证书。公司汇聚行业技术精英及知名院校人才，湖南大学半导体学院（集成电路学院）院长- 廖蕾博士为瑞森半导体首席科学家，致力于提升瑞森第三代半导体在国际及行业的创新力和竞争力。具备40年功率半导体设计及研发管理经验，并荣获多项技术研发奖的石英学博士为研发及设计中心副总，用实战经验让技术创新成果成功落地。更有湖南大学教授胡伟博士、邹旭明博士为瑞森半导体研发团队的研发技术顾问。

瑞森半导体通过多年研发努力，生产出了碳化硅系列产品，碳化硅二极管和碳化硅场效应晶体管，制造出了电压VRRM从650V-1700V系列碳化硅二极管产品，内阻从30毫欧-1000毫欧系列碳化硅场效应晶体管产品。

1、碳化硅二极管特性

零反向恢复电流；

具有较高的雪崩能量；

正向电压VF呈正温度系数；

开关特性不受温度影响；

结温175°C；

2、碳化硅场效应晶体管特性：

超高的反向击穿电压VDS：1200V-1700V；

低通电阻RDSON：30mΩ -1000mΩ ；

低通电容；

高速开关；

3、碳化硅产品优点

更低的阻抗，可有效减少功耗，从而提高整机电源的效率，同等效率下整机电源尺寸可以更小；

高频率特性，可以采用更小的被动元器，如变压器尺寸减小，减轻整机重量；

耐高温特性，可减少所需冷却系统，有利于整机电源小型化，也更适用于高功率场景下的使用。

瑞森半导体是国内少数第三代半导体SiC SBD及MOSFET成功量产的企业之一，该系列产品均基于国家军工标准生产线研制生产 ，通过军工研究所实验室及CNAS实验室验证；产品性能对标英飞凌、Cree 、ST等国外品牌。SiC MOSFET已成功量产650V、1200V 、1700V等， SiC SBD已成功量产650V~1700V。

面对未来碳化硅产品技术，公司于2018年开始全面研发碳化硅产品，现已形成SiC SBD，2A-50A 、650V-1200V-1700V；SiC MOSFET，17mΩ-1000mΩ 、650V-1200V-1700V 批量供货能力，未来还将就更高耐压、更大电流，模块化等方向以及SiC IGBT、GaN HEMTs系列持续投入研发。        

公司连年来通过ISO9001质量管理体系认证，符合RoHS、REACH等环保要求，并通过第三方认证。目前碳化硅系列已在太阳能逆变器、风能逆变器、动力逆变器、电机驱动、不间断电源、电动汽车充电系统等使用，性能安全可靠，受到众多客户的信赖。

随着贸易战，进口品牌市场策略转移、交期普遍拉长，且不能保证供应等因素，国产替代正当时，如果要找产品性能对标英飞凌、Cree 、ST的碳化硅产品，可以选择瑞森半导体，我们严格把控每个生产环节，以ISO9001的质量体系管理、给客户提供全方位的技术支持，为客户量身定制，一对多售后技术服务，提供无忧服务体验。