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东芝推出面向更高效工业设备的第三代SiC MOSFET

2022-08-30 15:25 来源:东芝 编辑:电源网

中国上海,2022年8月30日——东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出新款功率器件---第三代碳化硅(SiC)MOSFET[1][2]“TWxxNxxxC系列”。该系列具有低导通电阻,可显著降低开关损耗。该系列10款产品包括5款1200V产品和5款650V产品,已于今日开始出货。

新产品的单位面积导通电阻(RDS(ON)A)下降了大约43%[3],从而使“漏源导通电阻×栅漏电荷(RDS(ON)×Qgd)”降低了大约80%[4],这是体现导通损耗与开关损耗间关系的重要指标。这样可以将开关损耗减少大约20%[5],同时降低导通电阻和开关损耗。因此,新产品有助于提高设备效率。

东芝将进一步壮大其功率器件产品线,强化生产设施,并通过提供易于使用的高性能功率器件,努力实现碳中和经济。

应用:

- 开关电源(服务器、数据中心、通信设备等)

- 电动汽车充电站

- 光伏变频器

- 不间断电源(UPS)

特性:

- 单位面积导通电阻低(RDS(ON)A)

- 低漏源导通电阻×栅漏电荷(RDS(ON)×Qgd)

- 低二极管正向电压:VDSF=-1.35V(典型值)@VGS=-5V

主要规格:

(除非另有说明,Ta=25℃)

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注:

[1] 通过采用为第二代SiC MOSFET开发的内置肖特基势垒二极管的架构,东芝开发出一种可降低单位面积导通电阻(RDS(ON)A),同时降低JFET区域反馈电容的器件架构。

[2] MOSFET:金属氧化物半导体场效应晶体管。

[3] 当第二代SiC MOSFET的RDS(ON)A被设为1时,与新款1200V SiC MOSFET比较。东芝调研。

[4] 当第二代SiC MOSFET的RDS(ON)*Qgd被设为1时,与新款1200V SiC MOSFET比较。东芝调研。

[5] 新款1200V SiC MOSFET和第二代SiC MOSFET比较。东芝调研。

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