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英飞凌推出业界首款面向航天级FPGA的符合QML-V标准的抗辐射NOR闪存

2021-07-28 11:09 来源:英飞凌 编辑:电源网

航天级可编程逻辑器件(FPGA)需要包含其引导配置的可靠的高容量非易失性存储器。为满足对高可靠性存储器日益增长的需求,英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)旗下的Infineon Technologies LLC近日宣布推出业界首款高容量抗辐射(RadTol)NOR闪存产品,该产品通过了MIL-PRF-38535 QML-V流程认证。QML-V流程是航天级IC的最高质量和可靠性标准认证。

英飞凌的256 Mb和512 Mb RadTol NOR Flash非易失性存储器可带来出色的低引脚数单芯片解决方案,适用于FPGA配置、图像存储、微控制器数据和引导代码存储等应用场合。在更高时钟速率下使用时,器件支持的数据传输可媲美或超越传统的并行异步NOR闪存,同时显著减少引脚数。这款器件的抗辐射性能高达30 krad(Si)偏置和125 krad(Si)无偏置。在125°C时,这款器件耐久性达到1000次编程/擦除周期,数据保留期限为30年,在85°C时可达到1万次编程/擦除周期,数据保留期限为250年。

作为航天级存储器产品的领导者,英飞凌利用65 nm浮栅闪存工艺技术开发出RadTol 256 Mb Quad SPI(QSPI)和512 Mb Dual Quad SPI NOR Flash。二者都具有133 MHz SDR接口速度。512 Mb器件包括两个独立的256 Mb裸片,它们采用单个封装解决方案并排装配。这样,设计人员可以灵活地在任一裸片上以双QSPI或单QSPI模式独立运行器件,从而为其提供使用第二个裸片作为备份解决方案的选项。英飞凌正与赛灵思等领先的FPGA生态系统公司就航天级应用展开密切合作。

Infineon Technologies LLC航空航天与国防业务副总裁Helmut Puchner表示:“我们的抗辐射双QSPI非易失性存储器获得最新航天级FPGA的全面支持。它们可以带来出色的低引脚数单芯片解决方案来配置处理器和FPGA。譬如,Xilinx Kintex® UltraScale™ XQRKU060的整个图像可以在Dual Quad模式下在大约 0.2 秒内加载。”

供货情况

RadTol NOR闪存器件采用24x12 mm2 36引脚陶瓷扁平封装, 可通过FPGA或通过独立编程器进行编程。这款器件支持-55°C至125°C的温度等级,SEU率 < 1 x 10-16次翻转/位-天,SEL > 60 MeV.cm2/mg(85°C),SEFI > 60 MeV.cm2/mg(LET),SEU阈值> 28 Mev.cm2/mg(LET)。英飞凌的开发套件和软件可进一步实现简便设计。

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