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意法半导体发布MasterGaN参考设计并演示250W无散热器谐振变换器

2021-05-18 16:35 来源:意法半导体 编辑:电源网

意法半导体发布了MasterGaN的首个参考设计,展示了新款高集成度器件如何提高功率密度、能效,简化产品设计,缩短上市时间。

ST新闻稿2021年5月18日——意法半导体发布MasterGaN参考设计并演示250W无散热器谐振变换器

EVLMG1-250WLLC 参考设计是一个250W谐振变换器,电路板尺寸是100mm x 60mm,最高组件高度是35mm。功率芯片是集成了一个STDRIVE半桥栅极驱动器以及两颗650V常关的GaN晶体管的MasterGaN1。其具有匹配的时序参数,导通电阻(Rds(on)) 150mΩ,最大额定电流10A,逻辑输入兼容3.3V至15V信号。

MasterGaN1适用于最高400W的AC/DC电源、DC/DC变换器和DC/AC逆变器应用中的高效软开关拓扑,包括谐振变换器、有源钳位反激或正激变换器,以及无桥图腾柱PFC(功率因数校正)。

利用GaN功率晶体管的高能效,参考设计一次侧采用无散热器设计。此外,GaN晶体管的开关性能出色,工作频率高于普通硅基MOSFET解决方案,因此可以使用较小的电磁元件和电容,实现更高的功率密度和更低的物料清单成本。

EVLMG1-250WLLC是一个标称400V输入的电源参考设计,提供一个24V/10A输出端口,最高能效超过94%。得益于MasterGaN内部集成的安全功能,变换器输出有短路和过流保护功能。还具有欠压保护和输入电压监测功能,电压检测功能可在多个DC/DC变换器中实现上电排序,防止电动机低压起动。

意法半导体的MasterGaN系列产品由引脚兼容的集成半桥产品组成,包括对称和非对称配置,采用9mm x 9mm的薄型GQFN封装。封装内部电路额定电压最高650V,高低压焊盘之间的爬电距离超过2mm。MasterGaN模块适用于各种额定功率,工程师略做硬件修改,即可扩展升级系统设计。

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