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专访宜普电源转换公司CEO:EPC氮化镓器件将增强所有ToF技术应用

《行业高端访谈》
2021-02-23 13:38 来源:电源网原创 编辑:邢

本期高端访谈的采访对象是宜普电源转换公司CEO兼共同创办人Alex Lidow。

电源网就宜普电源转换公司新推出的氮化镓器件及基于氮化镓器件的ToF lidar技术进行专访。下面我们将与Alex Lidow一起探讨EPC创新的GaN FET设计,GaN FET相对Si MOSFET的优势和发展趋势,EPC的解决方案与竞争对手相比的优势,以及EPC eGaN器件前十大市场应用领域等。

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电源网:我们知道氮化镓功率管速度快,频带高,但广泛应用在电源类产品上还是近几年的事情,请问是基于什么考虑让EPC选择将氮化镓(GaN)技术用作激光驱动器呢?

EPC:宜普电源转换公司(EPC)的氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)和集成电路可以增强所有ToF技术应用,有四个主要原因:其一,eGaN器件的速度比硅组件快10倍。 速度与成像分辨率和最大的帧速率直接相关;其二,对于相同的芯片尺寸,eGaN FET和集成电路可以产生大约5倍的高电流脉冲。 电流脉冲越高,ToF系统可以清楚看到在更远距离的物体;其三,与具有相同电流处理能力的硅器件相比,eGaN FET和集成电路的尺寸小5至10倍。 这使得设计工程师可以把eGaN组件放置在更靠近激光器的位置。 组件越近激光器,寄生电感就越小。 寄生电感会限制脉冲速度,从而影响成像分辨率;其四,在相同的额定电压和电流下,GaN FET和集成电路的成本更低。

在未来,我们将扩展光达IC、DC-DC转换器IC和电机控制器IC的产品线。 我们还将提升氮化镓技术平台的性能,这将为我们的商用和具备高可靠性的离散式场效应晶体管带来优越的质量因子(FOM)。

电源网:相比Si MOSFET,为什么GaN FET可以在器件尺寸、成本、效能、功耗、功率密度都表现更好?

EPC:GaN是宽带隙半导体(WBG),因此具有许多比硅器件优胜的特性。 氮化镓器件的开关更快、功率更高、尺寸更小且成本更低。 此外,由于氮化镓器件比硅组件更易于集成,因此我们可以将多个器件集成到一个芯片上,从而进一步提高性能,缩小尺寸,以及降低成本。

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电源网:GaN FET的效能相较于Si MOSFET有什么优势?

EPC:GaN器件比MOSFET更快、更小和更具成本效益。 GaN 集成电路将多个功率器件集成在单个芯片(例如EPC2152)上,在大约12 V以上,硅器件则无法实现这一点。这节省了设计时间和进一步缩小尺寸、降低成本和功耗。

电源网:EPC的解决方案与竞争对手相较有什么优势?

EPC:与专注于600至650 V氮化镓产品的竞争对手相比,EPC公司专注于为设计工程师提供较低电压的氮化镓器件(400 V以下)。 这使EPC的氮化镓器件更适合光达应用、48 V DC/DC转换器、马达控制器和卫星等应用。

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电源网:EPC GaN FET解决方案主要市场应用领域?未来技术与产品发展规划?

EPC:宜普电源转换公司的eGaN器件用于数百种应用中。 其中,排名前十的是ToF激光雷达应用、针对服务器的DC-DC转换器、针对服务器的AC-DC转换器的同步整流器输出、汽车电源系统、机器人、电动自行车、电动踏板车、无人机的电机控制器、卫星电源和电机控制器、太阳能微型逆变器、D类音频系统、医学成像系统以及无线电源。

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