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安森美半导体发布新的650 V碳化硅 (SiC) MOSFET

2021-02-18 11:49 来源:安森美半导体 编辑:电源网

推动高能效创新的安森美半导体 (ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ON),发布一系列新的碳化硅 (SiC) MOSFET器件,适用于功率密度、能效和可靠性攸关的高要求应用。设计人员用新的SiC器件取代现有的硅开关技术,将在电动汽车(EV)车载充电器(OBC)、太阳能逆变器、服务器电源(PSU)、电信和不间断电源(UPS)等应用中实现显著更好的性能。

配图

安森美半导体新的车规AECQ101和工业级合格的650伏(V) SiC MOSFET基于一种新的宽禁带材料,提供比硅更胜一筹的开关性能和更好的热性能,因而提高系统级能效、功率密度,及减小电磁干扰(EMI)、系统尺寸和重量。

新一代SiC MOSFET采用新颖的有源单元设计,结合先进的薄晶圆技术,可在650 V击穿电压实现同类最佳的品质因数Rsp (Rdson * area)。NVBG015N065SC1、NTBG015N065SC1、NVH4L015N065SC1和NTH4L015N065SC1采用D2PAK7L和To247封装,具有市场最低的Rdson (12 mOhm)。 这技术还优化能量损失品质因数,从而优化了汽车和工业应用中的性能。 内置门极电阻 (Rg)为设计人员提供更大的灵活性,而无需使用外部门极电阻人为地降低器件的速度。 更高的浪涌、雪崩能力和短路鲁棒性都有助于增强耐用性,从而提供更高的可靠性和更长的器件使用寿命。

安森美半导体先进电源分部高级副总裁Asif Jakwani在发布新品时说:“在现代电源应用中,如电动汽车(EV)车载充电器(OBC)和可再生能源、企业计算及电信等其他应用, 高能效、可靠性和功率密度是设计人员一直面临的挑战。这些新的SiC MOSFET比同等的硅开关技术显著提高性能,使工程师能够满足这些具有挑战性的设计目标。 增强的性能降低损耗,从而提高能效,减少热管理需求,并降低电磁干扰(EMI)。使用这些新的SiC MOSFET的最终结果是更小、更轻、更高效和更可靠的电源方案。”

新器件均为表面贴装,并提供行业标准封装类型,包括TO247和D2PAK。

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