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东芝推出采用其最新一代工艺的80V N沟道功率MOSFET,助力提高电源效率

2020-03-30 15:21 来源:东芝电子 编辑:电源网

东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,其“U-MOS X-H系列”产品线新增采用其最新一代工艺制造而成的80V N沟道功率MOSFET--- TPH2R408QM和TPN19008QM。新款MOSFET适用于数据中心和通信基站所用的工业设备的开关电源。

东芝推出采用其最新一代工艺的80V N沟道功率MOSFET,助力提高电源效率.

U-MOS X-H系列产品示意图

新增产品包括采用表面贴装SOP Advance封装的“TPH2R408QM”以及采用TSON Advance封装的“TPN19008QM”。产品于今日开始出货。

由于采用了其最新一代的工艺制造技术,与当前U-MOS Ⅷ-H系列中的80V产品相比,新款80V U-MOS X-H产品的漏源导通电阻降低了大约40%。通过优化器件结构,漏源导通电阻与栅极电荷特性[1]之间的平衡也得到了进一步的改善[2]。因此,新产品可提供业界最低[3]功耗。

东芝正在扩展其降耗型产品线,从而为降低设备功耗提供帮助。

应用:

・开关电源(高效AC-DC转换器、DC-DC转换器等)

・电机控制设备(电机驱动等)

特性:

・业界最低[3]功耗(通过改善导通电阻与栅极电荷特性[2]之间的平衡)

・业界最低[3]导通电阻:

           RDS(ON)=2.43mΩ(最大值)@VGS=10V(TPH2R40QM)

           RDS(ON)=19mΩ(最大值)@VGS=10V(TPN19008QM)

・高额定通道温度:Tch=175℃

主要规格:

(除非另有说明,@Ta=25℃)

东芝推出采用其最新一代工艺的80V N沟道功率MOSFET,助力提高电源效率.

注释:

[1] 总栅极电荷(栅源+栅漏)、栅极开关电荷、输出电荷。

[2] 与TPH4R008NH(U-MOS Ⅷ-H系列)进行比较,TPH2R408QM的漏源导通电阻x总栅极电荷改善约为15%、漏源导通电阻 x 栅极开关电荷改善约为10%、漏源导通电阻x输出电荷改善约为31%。

[3] 截至2019年3月30日,东芝调研。

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