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Littelfuse低电容瞬态抑制二极管阵列保护10GbE高速差分数据线免受放电和电涌事件的影响

2019-10-17 09:31 来源:Littelfuse 编辑:电源网

全球领先的电路保护、电源控制和传感技术制造商Littelfuse, Inc.(纳斯达克股票代码:LFUS)今日宣布推出了低电容瞬态抑制二极管阵列(SPA®二极管)。该产品经过优化设计,可用于保护高速差分数据线免受因静电放电(ESD)、电缆放电(CDE)、电气快速瞬变(EFT)和雷击感应浪涌造成的损坏,通过维护信号完整性保持网络通信的可靠性。

Littelfuse低电容瞬态抑制二极管阵列保护10GbE高速差分数据线免受放电和电涌事件的影响

SP3384NUTG瞬态抑制二极管阵列产品

SP3384NUTG系列可在高达15A (IEC 61000-4- 5第2版)和高达±30kV ESD (IEC 61000-4-2)的情况下为四个信道提供保护,并可提供紧凑型μDFN封装。 由于兼具低电容和低钳位电压,SP3384NUTG可针对2.5G/5G/10G以太网高速数据接口提供可靠的保护解决方案,同时避免信号衰减,提高各种应用的可靠性。

SP3384NUTG系列瞬态抑制二极管的典型市场和应用包括:

·数据中心和电信 - 2.5G/5G/10G以太网、WAN/LAN设备、5G无线回程

·工业 - LVDS接口、集成磁

·消费电子产品 - 台式机、服务器和笔记本电脑

“基于1GbE和5GbE应用中相似的封装尺寸,SP3384NUTG系列扩大了我们的产品组合,并满足了当今速度最快的10GbE消费以太网解决方案对超强ESD和浪涌保护的市场需求。”瞬态抑制二极管阵列(SPA®二极管)业务开发总监Tim Micun表示。 “它还采用了数据中心、电信以及消费电子产品行业常见的紧凑配置封装。”

SP3384NUTG系列瞬态抑制二极管阵列具有下列主要优势:

·低电容(每个I/O 0.5pF)和低箝位电压(4V@Ipp=1A),可维护信号完整性,将数据损失降至最低,同时使设备在面临电气威胁时更加稳定可靠。

·紧凑型μDFN封装(3.0 x 2.0mm)专为保护高速差分数据线进行了优化。

·在高达15A的电流条件下为两个差分数据线对(4个信道)提供保护。

·超过针对ESD保护的最高IEC标准要求,确保产品可靠性。

供货情况

SP3384NUTG 3.3V 15A系列采用3,000只装卷带封装。 样品可向世界各地的授权Littelfuse经销商索取。

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