将ADuM4135栅极驱动器与Microsemi APTGT75A120T1G 1200 V IGBT模块配合使用

高电流测试

测试配置类似于图3中所示的物理设置。表6总结了观察到的结果，图17至图20显示各种电压、频率和负载下的测试性能和结果。

输出负载电阻视各个测试而异，如表1所示，其中2 Ω到30 Ω负载用于改变电流。测量VOUT，也就是R1两端的电压。

测试7在300 V、10 kHz开关频率下执行，占空比为25%。测试8在400 V、10 kHz开关频率下执行，占空比为25%。

表6.高电流测试

1 PIN是输入电源(IIN × VIN)，其中VIN是直流电源电压。

开关IGBT的性能图和负载测试

此部分测试结果显示fSW = 10 kHz和20 kHz的不同目标电压下的开关波形。

去饱和测试

系统测试电路的电气设置如图21所示。直流电压施加于半桥两端的输入，900 µF的解耦电容添加到输入级。此设置用于测试去饱和检测。在此应用中，最大IC = 150 A，其中IC是通过T1和T2的电流。

高端开关IGBT (T1)被83 μH的电感旁路，T1开关必须关闭。

低端开关IGBT (T2)每500 ms被驱动50 μs。

表7详细列出了去饱和测试设置的功率器件。

图22显示电感L1中电流135 A时的开关动作，图23显示电感L1中电流139 A时的去饱和检测。

表7.功率器件去饱和测试的测试设置

图21.系统测试电路的电气设置

应用原理图

图24.ADuM4135栅极驱动器板原理图

结论

ADuM4135栅极驱动器具有优异的电流驱动能力，合适的电源范围，还有100 kV/µs的强大CMTI能力，在驱动IGBT时提供优良的性能。

本应用笔记中的测试结果提供的数据表明，ADuM4135评估板是驱动IGBT的高压应用的解决方案。