近些年,硅基半导体已经越来越接近材料的物理极限,我们虽不敢断言未来硅基半导体难再突破,但是从学术端和企业研发释放的信号来看,硅基半导体的潜力确实有限了,未来突破的方向将愈发收窄。
基于这样的大背景,并且随着工业、汽车等市场需求的增加,以碳化硅(SiC)为代表的第三代半导体材料的重要性与优越性逐渐凸显出来。以汽车领域为例,由于SiC器件能够实现更高效率和频率,同时器件体积大幅度下降,SiC器件对于IGBT取代的呼声越来越高。
在中国领先的电力电子、智能运动、可再生能源及能源管理展览会暨研讨会——上海国际电力元件、可再生能源管理展览会(PCIM Asia)上,PI高级应用工程师王皓与大家分享了题为《全碳化硅模块应用的驱动方案》的技术报告。
【图为王皓在PCIM Asia国际研讨会上发言】
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