微软公司宣布不再支持你正在使用的 IE浏览器,这会严重影响浏览网页,请使用微软最新的Edge浏览器
厂商专区
产品/技术
应用分类

PCIM Asia最佳报告《全碳化硅模块应用的驱动方案》

2019-07-03 14:27 来源:PI 编辑:电源网

近些年,硅基半导体已经越来越接近材料的物理极限,我们虽不敢断言未来硅基半导体难再突破,但是从学术端和企业研发释放的信号来看,硅基半导体的潜力确实有限了,未来突破的方向将愈发收窄。

基于这样的大背景,并且随着工业、汽车等市场需求的增加,以碳化硅(SiC)为代表的第三代半导体材料的重要性与优越性逐渐凸显出来。以汽车领域为例,由于SiC器件能够实现更高效率和频率,同时器件体积大幅度下降,SiC器件对于IGBT取代的呼声越来越高。

在中国领先的电力电子、智能运动、可再生能源及能源管理展览会暨研讨会——上海国际电力元件、可再生能源管理展览会(PCIM Asia)上,PI高级应用工程师王皓与大家分享了题为《全碳化硅模块应用的驱动方案》的技术报告。

PCIM Asia最佳报告《全碳化硅模块应用的驱动方案》


【图为王皓在PCIM Asia国际研讨会上发言】


1 2 3 4 > 

声明:本内容为作者独立观点,不代表电源网。本网站原创内容,如需转载,请注明出处;本网站转载的内容(文章、图片、视频)等资料版权归原作者所有。如我们采用了您不宜公开的文章或图片,未能及时和您确认,避免给双方造成不必要的经济损失,请电邮联系我们,以便迅速采取适当处理措施;欢迎投稿,邮箱∶editor@netbroad.com。

微信关注
技术专题 更多>>
研发工程师的工具箱
智慧生活 创新未来

头条推荐

电子行业原创技术内容推荐
客服热线
服务时间:周一至周五9:00-18:00
微信关注
获取一手干货分享
免费技术研讨会
editor@netbroad.com
400-003-2006