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贸泽开售STMicroelectronics MDmesh M6高效MOSFET

2019-02-21 13:07 来源:贸泽电子 编辑:电源网

2019年2月21日 – 专注于引入新品的全球半导体与电子元器件授权分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起备货STMicroelectronics (ST) 的MDmesh™ M6系列 超结晶体管。MDmesh M6系列MOSFET针对提高中等功率谐振软开关和硬开关转换器拓扑能效而设计,可提高电池充电器、电源适配器、PC电源、LED照明驱动器、电信和服务器电源以及太阳能 微型逆变器等设备的功率密度。

LPR_STMicroelectronics-MDmesh

贸泽电子供应的ST MDmesh M6 MOSFET提供高能效,从而增加功率密度。该系列最低18 奈库伦 (nC) 的栅极电荷 (Qg)  ,以及经优化的电容电压曲线可帮助功率转换应用中的新拓扑实现高开关效率。ST的 M6超结技术有助于将RDS(ON) 降低到0.036欧姆,从而提高效率。

提供8 A到72 A的额定电流,以及600 V到700 V的击穿电压,MOSFET针对软开关技术优化的阈值电压使新型晶体管非常适用于节能应用中的LLC谐振转换器和升压PFC转换器。ST MDmesh M6系列MOSFET提供多种封装选项,包括无引线TO-LL封装解决方案。与其他封装相比,TO-LL封装的面积降低30%,同时实现高效热管理。

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