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宜普推出高频单片式氮化镓半桥功率晶体管

2017-06-12 15:37 来源:宜普电源转换公司 编辑:电源网

宜普电源转换公司(EPC)宣布推出30 V的增强型单片式半桥氮化镓晶体管(EPC2111)。透过集成两个eGaN®功率场效应晶体管形成单个元件,可以去除互连电感及节省印刷电路板上元件之间的空隙。这样可以提高效率(尤其是在更高频率时)及提高功率密度,而且同时降低终端用户的功率转换系统的组装成本。EPC2111是高频12 V转至负载点DC/DC转换的理想元件。

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在EPC2111半桥器件内的每一个元件的额定电压是30 V。 上面的场效应晶体管的导通电阻(RDS(on))典型值是14 mΩ,下面的场效应晶体管的导通电阻典型值是6 mΩ。EPC2111使用芯片级封装,可以改善开关速度及散热性能。其尺寸只是3.5 毫米(mm) x 1.5 毫米,功率密度更高。

EPC2111的其中一个主要应用是笔记本电脑及平板电脑运算。在这些系统内,功率转换电路的占板面积差不多是50%,而且决定主机板的厚度。氮化镓晶体管的高频性能缩小功率转换所需的占板面积,因此大大缩小下一代移动电话运算系统的尺寸。

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