格罗方德推出增强型130nm硅锗射频技术促无线通信发展

加利福尼亚州 圣克拉拉市 2016年5月23日 格罗方德半导体（GlobalFoundries）于今日宣布针对硅锗（SiGe）高性能技术组合，推出新一代射频芯片解决方案。该项技术专为需要更优性能解决方案的客户而打造，适用于汽车雷达、卫星通信、5G毫米波基站等其他无线或有线通信网络的应用。

格罗方德半导体的硅锗8XP技术是该公司130nm高性能硅锗系列产品的最新成员，它可协助客户制定射频解决方案，以在更远距离实现更快的数据吞吐量，同时耗能更少。这项先进技术大幅提升了异质结双极晶体管（HBT）的性能、降低噪声指数、改善信号完整性并将硅锗8XP的最大振荡频率（Fmax）增加至340GHz，相比以前的硅锗8HP提升了25%。

运行于毫米波频段的高带宽通信系统带来了复杂性和高性能要求，因此急切需要性能更优的芯片解决方案。除了依靠硅锗技术获得高性能的各种应用外（如：通信基站设施、回程信号隧道、卫星和光纤网络），高性能硅锗解决方案还可在5G智能手机的射频前端以及其他毫米波相控阵消费应用领域迎来发展良机。

格罗方德半导体射频业务部高级副总裁Bami Bastani博士认为：“5G网络将促进射频SoC设计实现新一代的创新，以支持高带宽的数据传输并满足对更快数据传输和更低延迟率应用的需求。格罗方德的硅锗8HP和8XP技术可以有效平衡性能、功率和效率，助力客户在下一代移动和硬件设施上开发出差异化的射频解决方案。”

Anokiwave的首席执行官Robert Donahue表示：“格罗方德的领先硅锗技术和全面的平台开发工具包能使我们的开发设计人员快速开发出性能更优、更具差异化的毫米波解决方案。利用硅锗8XP技术，我们可以推出面向未来、更高性能的毫米波解决方案，以帮助我们的供应商随时随地确保稳定的连接性，同时从容应对呈爆炸式激增的海量移动数据流。”

未来的5G网络将在更小单元面积内促进基站扩增，硅锗8HP和8XP技术旨在充分平衡微波和毫米波频段的价值、输出功率、效率、低噪性和线性，以实现下一代移动基础硬件设施和智能手机射频前端的差异化射频解决方案。格罗方德的硅锗8HP和8XP高性能技术可帮助芯片设计者整合重要的数字和射频功能，以开发出比砷化镓（GaAs）更经济，比CMOS性能更优越的芯片技术。

除了在毫米波频段高效运行的高性能晶体管，该技术引发的技术创新还可以减少芯片尺寸，产生高效空间利用的解决方案。全新的铜金属化功能特性使得材料的电流承受能力在100摄氏度时提高5倍（以电流密度计），或相比标准铜线，在相同的电流密度下其温度高出25摄氏度;此外，格罗方德经生产验证的硅通孔（TSV）互连技术现已问世。

硅锗8XP设计套件现已全面上市。欲了解关于格罗方德130nm硅锗高性能技术解决方案的更多详情，请莅临我们在旧金山国际微波研讨会（International Microwave Symposium）的1443号展位（5月22日-27日），或访问官方网站。