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安森美推进更快、更智能和更高能效的GaN晶体管

2016-04-28 10:17 来源:电源网 编辑:Bamboo

氮化镓(GaN)是一种新兴的半导体工艺技术,提供超越硅的多种优势,被称为第三代半导体材料,用于电源系统的设计如功率因数校正(PFC)、软开关DC-DC、各种终端应用如电源适配器、光伏逆变器或太阳能逆变器、服务器及通信电源等,可实现硅器件难以达到的更高电源转换效率和更高的功率密度水平,为开关电源和其它在能效及功率密度至关重要的应用带来性能飞跃。

GaN的优势

从表1可见,GaN具备出色的击穿能力、更高的电子密度及速度,和更高的工作温度。GaN提供高电子迁移率,这意味着开关过程的反向恢复时间可忽略不计,因而表现出低损耗并提供高开关频率,而低损耗加上宽带宽器件的高结温特性,可降低散热量,高开关频率可减少滤波器和无源器件如变压器、电容、电感等的使用,最终减小系统尺寸和重量,提升功率密度,有助于设计人员实现紧凑的高能效电源方案。同为宽带宽器件,GaN比SiC的成本更低,更易于商业化和具备广泛采用的潜力。

半导体材料关键特性一览
表1:半导体材料关键特性一览

安森美半导体与Transphorm联合推出第一代Cascode GaN

GaN在电源应用已证明能提供优于硅基器件的重要性能优势。安森美半导体和功率转换专家Transphorm就此合作,共同开发及共同推广基于GaN的产品和电源系统方案,适用于工业、计算机、通信、LED照明及网络领域的各种高压应用。去年,两家公司已联名推出600V GaN级联结构(Cascode)晶体管NTP8G202N和NTP8G206N,两款器件的导通电阻分别为290mΩ和150mΩ,门极电荷均为6.2nC,输出电容分别为36pF和56pF,反向恢复电荷分别为0.029µC和0.054µC,采用优化的TO-220封装,易于根据客户现有的制板能力而集成。

基于同一导通电阻等级,第一代600V硅基GaN(GaN-on-Si)器件已比高压硅MOSFET提供好4倍以上的门极电荷、更好的输出电荷、差不多的输出电容和好20倍以上的反向恢复电荷,并将有待继续改进,未来GaN的优势将会越来越明显。

第一代600V GaN-on-Si HEMT与高压MOSFET比较
表2:第一代600V GaN-on-Si HEMT与高压MOSFET比较

Cascode相当于由GaN HEMT和低压MOSFET组成:GaN HEMT可承受高电压,过电压能力达到750V,并提供低导通电阻,而低压MOSFET提供低门极驱动和低反向恢复。HEMT是高电子迁移率晶体管的英文缩写,通过二维电子气在横向传导电流下进行传导。

GaN内部架构及级联结构
图1:GaN内部架构及级联结构

使用600V GaN Cascode的三大优势是:

1.具有卓越的体二极管特性:级联建立在低压硅技术上,且反向恢复特别低;

2.容易驱动:设计人员可使用像普通MOSFET一样的传统门极驱动器,采用电压驱动,且驱动由低压硅MOSFET的阈值电压和门极电荷决定;

3.高可靠性:通过长期应用级测试,且符合JEDEC行业标准(通过标准为:0个击穿、最终的漏电流低于规格门限、导通阻抗低于规格门限)。


PFC能效测试曲线

在许多现有的电路拓扑中,Cascode GaN比Si提供更高能效。如图2所示,在连续导电模式(CCM)升压PFC拓扑中,在200KHz和120Vac输入的条件下,Cascode GaN较超结合Si(SJ Si)提升近1%的效率,随着频率的升高,GaN的优势更为明显。

CCM升压PFC在200kHz和120Vac输入
图2:CCM升压PFC在200kHz和120Vac输入

采用GaN还使得图腾柱(Totem Pole)电路成为可能,较传统CCM升压PFC提供更高能效。

传统CCM升压FPC vs.图腾柱电路
图3:传统CCM升压FPC vs.图腾柱电路

设计注意事项

采用GaN设计电源时,为降低系统EMI,需考虑几个关键因素:首先,对于Cascode结构的GaN,阈值非常稳定地设定在2V,即5V导通,0V关断,且提供±18V门极电压,因而无需特别的驱动器。其次,布板很重要,尽量以短距离、小回路为原则,以最大限度地减少元件空间,并分开驱动回路和电源回路,而且需使用解调电容。对于硬开关桥式电路,使用磁珠而不是门极电阻,不要用反向二极管,使用解调母线电容。

此外,必须使用浪涌保护器件,并通过适当的散热确保热性能,并行化可通过匹配门极驱动和电源回路阻抗完成,当以单个点连接时,要求电源和信号元件独立接地。

示例:利用GaN设计12V/20A一体化工作站电源

一体化工作站正变得越来越轻薄,要求更轻和更小的电源转换器,这通常通过提高开关频率来实现。传统Si MOSFET在高频工作下的开关和驱动损耗是一个关键制约因素。GaN HEMT提供较传统MOSFET更低的门极电荷和导通电阻,从而实现高频条件下的更高电源转换能效。

演示板设计为240W通用板,它输出20A的负载电流和12V输出电压,功率因数超过98%,满载时总谐波失真(THD)低于17%。电源转换器前端采用功率因数校正(PFC)IC,将AC转换为调节的385VDC总线电压。升压转换器中的电感电流工作于CCM。升压PFC段采用安森美半导体的NCP1654控制器。次级是隔离的DC-DC转换器,将385VDC总线电压转换为12VDC输出电压。隔离的DC-DC转换通过采用LLC谐振拓扑实现。次级端采用同步整流以提供更高能效。LLC电源转换器采用安森美半导体的NCP1397,提供97%的满载效率,而同步整流驱动器是NCP4304。NCP432用于反馈路径以调节输出电压。演示板采用GaN HEMT作为PFC段和LLC段原边的开关,提供0.29mΩ的低导通电阻和>100V/ns 的高dv/dt,因而导致开关和导通损耗低,其低反向恢复电荷产生最小的反向恢复损耗。

其中,NCP1654提供可编程的过流保护、欠压检测、过压保护、软启动、CCM、平均电流模式或峰值电流模式、可编程的过功率限制、浪涌电流检测。NCP1397提供精确度为3%的可调节的最小开关频率、欠压输入、1A/0.5A峰值汲/源电流驱动、基于计时器的过流保护(OCP)输入具自动恢复、可调节的从100ns至2μs的死区时间、可调节的软启动。NCP4304的关键特性包括具可调节阈值的精密的真正次级零电流检测、自动寄生电感补偿、从电流检测输入到驱动器的关断延迟40ns、零电流检测引脚耐受电压达200V、可选的超快触发输入、禁用引脚、可调的最小导通时间和最小关断时间、5A/2.5A峰值电流汲/源驱动能力、工作电压达30V。

经过频谱分析仪和LISN测试,该设计的EMI符合EN55022B标准,并通过2.2kV共模模式和1.1kV差分模式的浪涌测试。输入电压为115Vac和230Vac时,系统峰值效率分别超过95%和94%。该参考设计较现有采用硅的216W电源参考设计减小25%的尺寸,提升2%的效率。

总结

GaN超越硅,可实现更快速开关、更紧凑的尺寸、更高功率密度及更高的电源转换能效,适用于开关电源和其它在能效及功率密度至关重要的应用。高能效的电源转换有利于软开关电路拓扑结构回收能量,如相移全桥、半桥或全桥LLC、同步升压等。随着更多工程师熟悉GaN器件的优势,基于GaN的产品需求将快速增长。得益于技术的发展和市场的成长,将有望降低采用GaN的成本。安森美半导体凭借宽广的知识产权阵容和专长,结合功率转换专家Transphorm无与伦比的GaN知识,正工作于新的发展前沿,致力推进市场对GaN的广泛采纳。

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