900V SiC MOSFET在PFC中的应用

Wolfspeed（原CREE Power产品）推出业界首款900V SiC MOSFET系列产品，拓展了高频电力电子应用的范围。相比于相当于硅MOSFET，这一突破900V SiC使我们的产品的新市场通过扩大我们在终端系统解决功率范围。该系列产品提供了更高的开关速率和更低的开关损耗，从而为电力电子工程师们提供了设计出更小，更快，更酷，更高效的电源解决方案可能。

世强代理的新的900V SiC MOSFET系列产品极大的扩大了产品应用空间，能够更好的应对不断发展变化的应用领域，更高的直流母线电压可以覆盖250V-450V的应用领域。

PFC电路的特点是尺寸小、可高速开关。该电路属于“无桥”型，去掉了PFC中常见的整流电路，从而能够实现电路的小型化。传统的使用硅功率元件搭建的无桥PFC使用的元器件多、结构复杂，如下图1是采用cool MOS的双升压型（Dual Boost）无桥PFC。采用双升压型无桥PFC的前提是，需要且必须使用SiC材料的肖特基二极管（SBD），另外还需要使用两个大型电抗器。如图2所示的是SiC MOS搭建的无桥PFC拓扑，从图中可以看出该拓扑结构除了省去了两颗肖特基二极管，同时电抗器也由Si材料方案的两个减少为一个。从中不难看出采用SiC MOS的无桥PFC具有更加简化的电路拓扑、更具优势的BOM成本、更小的尺寸。Wolfspeed（原CREE Power产品）900V SiC MOSFET系列产品显然是很好的选择。

世强代理的Wolfspeed（原CREE Power产品）900V SiC MOSFET供多种不同封装形式供客户选择，其中既有标准工业封装TO247-3和TO220-3，还有更节约PCB空间的低阻抗表面贴装封装的D2PAK-7L。此外，采用Kelvin连接方式能够有效减少栅极振铃。

图1：传统Si材料的无桥PFC

图2：SiC无桥PFC

相对相同规格的硅MOSFET，SiC MOSFET的导通内阻RDS（ON）只有其的1/3，也就是说在导通内阻上损耗只有Si器件的1/3。900V SiC MOSFET具有目前市场上所有900V MOSFET器件中最低的导通电阻65mΩ。另外SiC器件的开关损耗只相当于Si器件的15%。高效的特性除了直接降低能耗以外，更主要的是减少用于散热的器件，降低整个系统成本，减小系统体积。图3为同等功率等级的SiC器件和Si器件构成的PFC模块的效率。对于很多新能源或者电力领域3个百分点可能是关系到产品的合格与否。

现900V SiC MOSFET系列产品已可通过世强订购！

图3：SiC器件与Si器件的PFC效率对比