基础知识 增强型场效应晶体管工作原理简析

场效应晶体管在平时的电路设计应用中，是一种非常常见的基础电子元件，其工作原理与晶体管原理类似。为了帮助刚刚接触电路设计领域的新人工程师更快的了解场效应晶体管工作原理知识，小编今天特别搜集了一些场效应晶体管的基础知识，在这里与各位新人工程师们一起分享。

场效应晶体管在实际工作应用中，更多的会被称为MOS管，在很多开关电源以及电路结构中都由它的身影。这种场效应管一般有耗尽型和增强型两种。在这里我们主要以平时常见的增强型MOS场效应管来进行介绍。这种场效应管可分为NPN型PNP型，而在电路设计中NPN型管通常称为N沟道型，PNP型管也叫P沟道型。下图分别是NPN和PNP型管的基础构造。

MOS场效应管NPN型

MOS场效应管PNP型

从上面的两种场效应晶体管的基础构造图中我们可看出，对于N沟道的场效应管来说，其源极和漏极接在N型半导体上，同样对于P沟道的场效应管其源极和漏极则接是在P型半导体上。相信很多工程师知道一般三极管是由输入的电流控制输出的电流。但对于场效应管来说，其输出电流是由输入的电压控制，可以认为输入电流极小或没有输入电流，这使得该器件有很高的输入阻抗，同时这也是我们称之为场效应管的原因。

N沟道MOS场效应晶体管工作过程

在得知了场效应晶体管名称的由来之后，接下来我们再来看一下场效应晶体管工作原理是怎么一回事吧。上图为N沟道MOS场效应晶体管工作过程。从上图中我们可以看到，场效应管在栅极没有电压时，在源极与漏极之间不会有电流流过，此时场效应管处与截止状态。当有一个正电压加在N沟道的MOS场效应管栅极上时，由于电场的作用，此时N型半导体的源极和漏极的负电子被吸引出来而涌向栅极，但由于氧化膜的阻挡，使得电子聚集在两个N沟道之间的P型半导体中，电流也就是这样形成的，并进而使源极和漏极之间导通。下图给出了P沟道的MOS场效应管的工作过程，其工作原理类似这里不再重复。

P沟道MOS场效应管工作过程

以上就是本文对场效应晶体管原理以及工作过程，所进行的简单介绍和分析，希望能够对各位新人工程师的学习和工作有所帮助。