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MOS管技术:场效应管放大电路原理及应用

2010-02-26 00:00 来源:电源网 编辑:电源网子乐

一、偏置电路:

有自生偏置和混合偏置两种方法,表1电路I利用漏极电ID通过Rs所产生的IdRs作为生偏置电压,即Ugs=-IdRso可以稳定工作点。|IdRs|越大,稳定性能越好,但过负的偏置电压,会使管子进入夹断而不能工作。若采用如表2和表3混合偏置电路就可以克服上述缺陷。它们是由自生偏压和外加偏置组成的混合偏置,由于外加偏压EdRp(Rp为分压系数)提高了栅极电位,以便于选用更大的IdRs来稳定工作点,电路2、3中Rg的作用是提高电路输入电阻

二、图解法:

用图解法求电路的静态工作点如下:

常用场效应管放大电路


1

2

3

公式

Ku=-gm(Rds//Rd)
Ku=-gmRb(当Rds>>Rd)
Rt=Rg//Rgs=Rg
RO=Rg

Ku=-gm(Rds//Rd)
Ku=-gmRd(当Rds>>Rd)
Rt=Rg+R1//R2=Rg
Ro=Rd

Ku=gmRs(1+gmRs)
Rt=Rg+(R1//R2)=Rg
Ro=Rds/(1+gmRds)=1/gm

偏置方式

自生偏压
因为:Us=RgIb及Ug=0
所以:Ugs=-RsIo

自生偏压Us=IdRs
外加偏压Ug=EdRp
所以:Ugs=EdRp-IdRs
分压系数:Rp=R2/R1+R2

与式边相同

(1)写出直流负载线的方程为:Uds=Ed-Id(Rd+Rs)=15-3.2Id

令ID=0,则UDS=15伏,在横坐标上标出N点,又令UDS=0,得ID=4.7毫安,在纵坐标上标出M点,将M、连接成直线,则MN就是直流负载线。

(2)画栅漏特性(转移特性):根据负载线与各条漏极特性曲线的交点坐标,画出如下图B左边所示的ID=f(UGS)曲线称为栅漏特性。

(3)通过栅漏特性坐标原点作Tga=1/Rs的栅极回路负载线,它与栅漏特性相交于Q,再过Q点作横轴平行线,与栅漏负载线相交于Q’。由静态工作点Q和Q’读出:IDQ=2.5毫安,UGSQ=-3伏,UDSG=7伏,表1中的图解法与此相同。

三、等效电路分析法:

场效应管的微变等电路示于下图,由场效应管放大电路写成等效电路的具体例子可参阅表一。根据等到效电路求电压放大倍数及输入,输出电阻的方法与晶体管电路相同。

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